[发明专利]一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201310497448.4 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103594567A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高出光 效率 垂直 发光二极管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：
（1）形成底电极；
（2）在底电极上形成底粗化层；
（3）在底粗化层上形成底透明导电层；
（4）在底透明导电层上形成p型半导体层；
（5）在p型半导体层上形成半导体发光层；
（6）在半导体发光层上形成n型半导体层；
（7）在n型半导体层上形成顶透明导电层；
（8）在顶透明导电层上形成顶粗化层；
（9）在顶粗化层上形成顶电极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
底透明电极层和顶透明电极层分别具有凸块，从截面上看，所述底透明电极层和顶透明电极层的外形与方波相同；并且底透明电极层凸块的边缘与顶透明电极层凸块的边缘对齐。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：
底粗化层和顶粗化层为ITO层，底粗化层和顶粗化层均匀覆盖在底透明电极层和顶透明电极层具有凸块的表面上，并且底粗化层和顶粗化层的厚度相同，都为80-100nm；底透明电极层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；同样的，顶透明电极层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米。
4.如权利要求1-3之一的方法，其特征在于：
底透明电极层以及顶透明电极层凸块的宽度与凸块之间的距离之比为1.5-2，优选1.6倍。
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