[发明专利]双包层光纤激光器的包层光滤除装置及制法

权利要求书

1.双包层光纤激光器的包层光滤除装置，其特征在于包括上导热组件（1）和与上导热组件（1）形状、结构、尺寸完全相同的下导热组件；上导热组件（1）是一个长方体，长方体的一个表面的中心沿长度方向有凹槽（6），上硅片（2）的形状与凹槽（6）相同，上硅片（2）通过导热材料粘贴镶嵌在上导热组件（1）的凹槽（6）中；上导热组件（1）和下导热组件的材料是金属铜或铝；上硅片（2）的表面中心沿长度方向有腐蚀槽（3）；

下导热组件的凹槽向上，剥除外包层的双包层光纤（5）的外面涂覆有高折射率材料（4）后置于下导热组件的下硅片的腐蚀槽中；把上导热组件（1）凹槽向下置于下导热组件上面，通过导热材料把上导热组件（1）和下导热组件，及上硅片（2）和下硅片粘贴成为一个整体。

2.如权利要求1所述的双包层光纤激光器的包层光滤除装置，其特征在于，所述的上硅片（2）的材料是n型硅、p型硅或本征硅。

3.如权利要求1所述的双包层光纤激光器的包层光滤除装置，其特征在于，所述的腐蚀槽(3)的横截面是梯形或V形。

4.如权利要求1所述的双包层光纤激光器的包层光滤除装置，其特征在于，所述的双包层光纤(5)为双包层非掺杂石英光纤、双包层稀土掺杂石英光纤、双包层光子晶体光纤、双包层氟化物光纤、双包层塑料光纤。

5.如权利要求1所述的双包层光纤激光器的包层光滤除装置，其特征在于，所述的上硅片(2)和下硅片形成的腐蚀槽的横截面是六边形或菱形。

6.如权利要求1所述的双包层光纤激光器的包层光滤除装置的制备方法，其特征在于，其步骤和条件如下：

Ⅰ、硅片的制备：

(1) 选择上硅片(2)；

 (2) 将上硅片(2)进行湿氧氧化形成SiO₂层，氧化炉温度为1100℃，氧化时间1小时，水温95℃，氧气流量2L/min；

(3) 通过光刻工艺去除去上硅片(2)放置双包层光纤腐蚀槽对应处的SiO₂，形成一个长方形的条形的无SiO₂区域；

（4）采用四甲基氢氧化铵对上硅片(2)进行各向异性腐蚀，腐蚀液浓度为30%wt，腐蚀温度为80℃，腐蚀速度约0.8μm/min，形成腐蚀槽(3)；腐蚀槽(3)的横截面是梯形或V形；上硅片(2)和下硅片形成的腐蚀槽的横截面是六边形或菱形。

（5）用HF酸溶液去除硅片表面的SiO₂，完成放置双包层光纤腐蚀槽的制备；

（6）把上硅片(2)通过导热材料粘贴镶嵌在上导热组件(1)的凹槽(6)中；

Ⅱ、双包层光纤的外涂覆层的剥除和涂覆高折射率聚酯材料：     

 (1)用剥纤钳或光纤涂敷层热剥除器将双包层光纤(5)的低折射率涂敷层剥除掉，形成剥除外包层的双包层光纤(5)；

(2)用酒精清洁剥除外包层的双包层光纤(5)；

(3)用光纤涂覆机在剥除外包层的双包层光纤(5)上涂覆一层高折射率聚酯材料；

Ⅲ、包层光滤除装置的制备：

下导热组件的凹槽向上，剥除外包层的双包层光纤(5)的外面涂覆有高折射率材料(4)后置于下导热组件硅片的腐蚀槽中；把上导热组件(1)凹槽向下置于下导热组件上面，通过导热材料把上导热组件（1）和下导热组件，及上硅片（2）和下硅片粘贴成为一个整体。