[发明专利]采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的PowerClamp有效
| 申请号： | 201310477495.2 | 申请日： | 2013-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103515944B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡小五;高哲;闫明;梁超;魏俊秀;吕川 | 申请（专利权）人： | 辽宁大学 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 沈阳杰克知识产权代理有限公司21207 | 代理人： | 金春华 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 双通道 技术 用于 电源 之间 esd 保护 powerclamp | ||
1.采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp，包括在VDD（1）和VSS（2）之间设有RC触发的检测电路，其特征在于：所述的检测电路包括PMOS1（3）、NMOS1（4）、电阻R2（5）和BigFET（6），并具有Filter节点（ 7）、INV1OUT节点（8）、INV2OUT节点（9）和BigFET栅节点（10）；R1和C构成ESD监测电路，放在VDD（1）和VSS（2）之间，反相器Ⅰ（11）放在RC监测电路之后，反相器Ⅰ（11）的输入端和Filter节点（7）相连，输出端和反相器Ⅱ（12）相连，反相器Ⅱ（12）的输出端和PMOS1（3）的栅相连，NMOS1（4）的栅接地，NMOS1（4）的漏和PMOS1（3）的漏相连然后接BIGFET（6）的栅，BIGFET（6）的栅同时通过电阻R2（5）接地。
2.如权利要求1所述的采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp，其特征在于：所述的PMOS1（3）用于在ESD脉冲到达初期，PMOS1（3）开启，BigFET栅节点（10）为高电压，BigFET（6）开启泄放ESD电流。
3.如权利要求1所述的采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp，其特征在于：所述的 NMOS1（4）用于在ESD脉冲到达，过了RC时间常数之后，仍然保持BigFET（6）开启泄放ESD电流。
4.如权利要求1所述的采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp，其特征在于：所述的电阻R2（5）用于在电路正常上电的情况下，使BigFET栅节点（10）电压为低电平，BigFET（6）关闭，不会产生漏电。
5.如权利要求1所述的采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp，其特征在于：RC检测电路的RC时间常数设置为10-50ns。
6.如权利要求5所述的采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp，其特征在于：RC检测电路的RC时间常数设置为20ns。
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