[发明专利]LDMOS的制造方法在审
| 申请号： | 201310473674.9 | 申请日： | 2013-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN104576499A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 黄晨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 制造 方法 | ||
1.一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管LDMOS的制造方法，该方法包括以下步骤：
A、提供一基底，在基底定义的LDMOS区中形成两个具有台阶状的浅沟槽隔离STI，所述两个具有台阶状的STI分别位于要形成的第一漂移区和第二漂移区中，且在第一漂移区中位于要形成的源极与多晶硅栅极之间，在第二漂移区中位于要形成的漏极与多晶硅栅极之间；
B、在LDMOS区进行离子注入形成阱；
C、在所述阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的第一漂移区和第二漂移区；
D、在第一漂移区和第二漂移区之间的基底表面形成栅极结构；
E、分别在第一漂移区和第二漂移区中进行掺杂形成源极和漏极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有台阶状的浅沟槽隔离STI的形成方法包括：
在基底表面形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层的开口定义STI的位置；
以所述图案化的光刻胶层为掩膜对基底表面进行刻蚀形成具有第一台阶的STI沟槽；
在所述STI沟槽内部侧壁形成STI侧墙；
以所述STI侧墙为掩蔽，刻蚀STI沟槽至预定深度，形成STI的第二台阶；
沉积用于填充STI沟槽的氧化物；
化学机械研磨所述氧化物至基底表面，形成具有台阶状的STI。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀形成具有第一台阶的STI沟槽，采用气体包括溴化氢HBr，氯气Cl2和四氟化碳CF4，每种气体流量为20～50标准立方厘米每分钟。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述STI侧墙为氧化层或者氮化层。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成STI的第二台阶，采用刻蚀气体包括溴化氢HBr，氯气Cl2和四氟化碳CF4，每种气体流量为30～70标准立方厘米每分钟。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用高密度等离子体化学气相沉积方法填充STI沟槽。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当LDMOS为LDNMOS时，所述漂移区为N-漂移区；所述阱为P型阱；所述源极和漏极进行N+掺杂形成。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当LDMOS为LDPMOS时，所述漂移区为P-漂移区；所述阱为N型阱；所述源极和漏极进行P+掺杂形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
