[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括基板以及设置于所述基板上的栅极、同层设置的源极和漏极以及设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间的绝缘层，其特征在于，与所述栅极同层设置有栅极预形成层，所述栅极形成在所述栅极预形成层中；和/或，与所述源极和所述漏极同层设置有源漏预形成层，所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层中。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极设置在所述基板上，所述源极和所述漏极设置在所述栅极的上方，所述栅极预形成层在对应着形成栅极的区域开设有栅极嵌入槽，所述栅极设置在所述栅极嵌入槽内；和/或，所述源漏预形成层在对应着形成所述源极的区域开设有源极嵌入槽、对应着形成所述漏极的区域开设有漏极嵌入槽，所述源极设置在所述源极嵌入槽中，所述漏极设置在所述漏极嵌入槽中。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极设置在所述基板上，所述栅极设置在所述源极和所述漏极的上方，所述源漏预形成层在对应着形成所述源极的区域开设有源极嵌入槽、对应着形成所述漏极的区域开设有漏极嵌入槽，所述源极设置在所述源极嵌入槽中，所述漏极设置在所述漏极嵌入槽中；和/或，所述栅极预形成层在对应着形成所述栅极的区域开设有栅极嵌入槽，所述栅极设置在所述栅极嵌入槽内。

4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极预形成层与所述源漏预形成层均采用无机材料形成，所述无机材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极的厚度与所述栅极预形成层的厚度相同，所述源极和所述漏极的厚度与所述源漏预形成层的厚度相同。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极之间还设置有有源层，且所述有源层分别与所述源极和所述漏极在正投影方向上至少部分重叠，所述有源层采用非晶硅材料形成；或者，所述有源层采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡或氧化铟镓锡形成。

7.一种阵列基板，包括栅线、数据线以及设置在由所述栅线与所述数据线交叉形成的像素区内的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极预形成层还延伸至所述像素区对应着所述薄膜晶体管以外的其他区域，所述栅线与所述栅极同层设置、且与所述栅极电连接；或者，所述源漏预形成层还延伸至所述像素区对应着所述薄膜晶体管以外的其他区域，所述数据线与所述源极同层设置、且与所述源极电连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极预形成层在对应着形成栅线的区域开设有栅线嵌入槽，所述栅线设置在所述栅线嵌入槽中；或者，所述源漏预形成层在对应着形成数据线的区域开设有数据线嵌入槽，所述数据线设置在所述数据线嵌入槽中。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极的厚度与所述栅极的厚度相等，所述数据线的厚度与所述源极的厚度相等。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7-10任一项所述的阵列基板。

12.一种薄膜晶体管的制备方法，包括在基板上形成栅极、形成源极和漏极以及形成所述栅极与所述源极和所述漏极之间的栅绝缘层的步骤，其特征在于，还包括形成与所述栅极同层的栅极预形成层，将所述栅极形成在所述栅极预形成层中的步骤；和/或，还包括形成所述源极和所述漏极同层的源漏预形成层，将所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层中的步骤。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在形成所述栅极之前，先形成包括栅极预形成层以及开设在所述栅极预形成层中的栅极嵌入槽的图形；然后，在所述栅极嵌入槽内形成包括所述栅极的图形；

或者，在形成所述源极和所述漏极之前，先形成包括源漏预形成层以及开设在所述源漏预形成层中的源极嵌入槽和漏极嵌入槽的图形；然后，在所述源极嵌入槽内形成包括所述源极的图形，以及在所述漏极嵌入槽内形成包括所述漏极的图形。