[发明专利]一种电压调节器

说明书

技术领域

本发明涉及一种电压调节器,具体涉及一种无外接输出电容可以稳定输出电压的电压调节器。

背景技术

目前传统的外接输出电容的电压调节器传统的电压调节器如图1所示，需要芯片外接电容C1。一般由带隙基准电路提供温度系数较小的参考电压VR，误差放大器调整使得FB电压等于VR电压，此时输出电压VO等于VR.(R1+R2)/R1，其中VR为参考电压的电压值，R1和R2分别为电阻R1和R2的电阻值。该电压调节器需要外加电容，电容加在外面增加了电压调节器的成本，同时该电压调节器的输出电压不是很稳定。无外接输出电容可以稳定的电压调节器越来越受欢迎。相比传统外接输出电容的电压调节器，无外接输出电容可以稳定的电压调节器可以节省一个电容成本，当为内部电路供电时，还可以节省一个芯片管脚。

发明内容

本发明针对上述问题，提供一种无外接输出电容可以稳定输出电压的电压调节器

本发明解决上述问题所采用的技术方案是：一种电压调节器,包括：第一电流源、第一NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管及第二PMOS管；所述第一电流源的正极连接电压调节器电压输入端VIN和第四NMOS管的漏极，第一电流源的负极连接第三NMOS管的漏极和栅极；所述第三NMOS管的源极连接第二PMOS管的源极于VG；所述第二PMOS管的漏极连接第二PMOS管的栅极、第一NMOS管的漏极和栅极；所述第一NMOS管的源极连接地；所述第四NMOS管的栅极连接第三NMOS管的栅极，第四NMOS管的源极连接电压调节器输出端VO。

进一步地，所述电压调节器还包括第三PMOS管；所述第三PMOS管的栅极和第三NMOS管的源极及第二PMOS管的源极连接于VG；所述第三PMOS管的漏极接地；所述第三PMOS管的源极和第四NMOS管的源极连接电压调节器输出端VO。

更进一步地，所述电压调节器还包括第二电流源；所述第二电流源的正极连接第四NMOS管的源极和电压调节器输出端VO。

更进一步地，所述电压调节器还包括第二电阻；所述第二电阻的一端连接第一电流源的正极和电压调节器电压输入端VIN，另一端连接第四NMOS管的漏极。

更进一步地，所述电压调节器还包括第三电阻和第五NMOS管；所述第三电阻的一端和第三NMOS管的源极及第三PMOS管的栅极连接于VG，另一端连接第五NMOS管的栅极和漏极；所述第五NMOS管的源极连接第二PMOS管的源极。

更进一步地，所述电压调节器还包括0到100pF的第一电容；所述第一电容的一端连接第一电流源的负极，另一端连接地。

更进一步地，所述电压调节器还包括第三电阻、第五NMOS管及0到100pF的第一电容；所述第三电阻的一端连接第三NMOS管的源极于VG，另一端连接第五NMOS管的栅极和漏极；所述第五NMOS管的源极连接第二PMOS管的源极；所述第一电容的一端连接第一电流源的负极，另一端连接地。

更进一步地，所述电压调节器还包括第二电容；所述第二电容一端连接电压调节器输出端VO，另一端接地。

本发明的优点是：

1、无需外接电容即可稳定。

2、结构简单、占用芯片面积更小，从而成本更低。

3、输出电压的随负载电流变化较小。

4、输出电压能跟踪工艺变化和温度变化，以更优化的电压值为负载供电。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

图1为传统的外接输出电容的电压调节器原理图；

图2为本发明的第一实施例原理图；

图3为本发明的第二实施例原理图；

图4为本发明的第三实施例原理图；

图5为本发明的第四实施例原理图；

图6为本发明的第五实施例原理图；

图7为本发明的第六实施例原理图；

图8为本发明的第七实施例原理图；

图9为本发明的第八实施例原理图。

附图标记：

MN1为第一NMOS管、MN3为第三NMOS管、MN4为第四NMOS管、MN5为第五NMOS管、MP2为第二PMOS管、MP3为第三PMOS管、I1为第一电流源、I2为第二电流源、R2为第二电阻、R3为第三电阻、C1为第一电容、C2为第二电容。

具体实施方式

下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本发明。