[发明专利]安规片式多层陶瓷电容器的制备方法

权利要求书

1.一种安规片式多层陶瓷电容器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在陶瓷介质膜上平行印刷内电极图形；

层叠预订数量的所述陶瓷介质膜使相邻陶瓷介质膜相对同一位置的内电极图形错开交替层叠，形成层叠板；

切割所述层叠板，使切割面具有间隔出现的内电极图形，且切割后的层叠板内部包括相对所述切割后的层叠板表面悬浮的内电极。

2.根据权利要求1所述的安规片式多层陶瓷电容器制备方法，其特征在于，在所述在陶瓷介质膜上平行印刷内电极图形之前还包括制备所述陶瓷介质膜的步骤，具体包括如下步骤：

配置瓷浆，所述瓷浆包括瓷粉、粘合剂、增塑剂、分散剂、消泡剂和溶剂，其中所述粘合剂、所述增塑剂、所述分散剂、所述消泡剂与所述瓷粉的重量百分比分别为36%、5%、0.8%、0.5%；

对所述瓷浆进行磨砂分散获得所述陶瓷介质膜。

3.根据权利要求1所述的安规片式多层陶瓷电容器制备方法，其特征在于，所述在陶瓷介质膜上平行印刷内电极图形的步骤为在所述陶瓷介质膜上平行印刷具有平滑型菱角的内电极图形。

4.根据权利要求1所述的安规片式多层陶瓷电容器制备方法，其特征在于，所述平行印刷的内电极之间的间距不小于0.35mm。

5.根据权利要求1所述的安规片式多层陶瓷电容器制备方法，其特征在于，在切割所述层叠板的步骤之前还包括对所述层叠板进行层压的步骤，所述对所述层压板进行层压的压力在150MPa以上。

6.根据权利要求1所述的安规片式多层陶瓷电容器制备方法，其特征在于，在所述切割所述层叠板的步骤之后还包括对所述切割后的层叠板进行倒角、并进行抛光的步骤。

7.根据权利要求6所述的安规片式多层陶瓷电容器制备方法，其特征在于，所述对切割后的层叠板进行抛光的步骤为通过硅类研磨介质对所述切割后的层叠板的表面进行干粉研磨抛光。

8.根据权利要求6所述的安规片式多层陶瓷电容器制备方法，其特征在于，在所述对切割后的层叠板进行倒角、抛光的步骤之后还包括在所述切割后的层叠板露出内电极的两端制备端电极的步骤，且每个所述端电极与所述切割后的层叠板的接触线均为直线。

9.根据权利要求8所述的安规片式多层陶瓷电容器制备方法，其特征在于，所述端电极的厚度为0.3mm-0.4mm。

10.根据权利要求8所述的安规片式多层陶瓷电容器制备方法，其特征在于，在所述制备端电极的步骤之后还包括通过表面整理剂对制备端电极后的层叠板进行表面处理、并通过封闭剂制作表面保护膜的步骤。