[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种具有对半导体晶片等基板进行清洗的清洗部，用作为例如研磨装置的基板处理装置。

背景技术

例如，在对基板表面的氧化膜进行清洗的清洗处理中，必须将酸性药液进行的清洗步骤和碱性药液进行清洗步骤予以组合，再经过精清洗，然后进行冲洗·干燥处理。因此，必须具有许多清洗组件以进行清洗处理。

当将辊式摩擦清洗组件用作为清洗组件，且对基板表面的氧化膜等进行使用了酸性药液的辊式摩擦清洗时，产生这样的问题：不仅应当去除的微粒重新附着在基板上，而且损伤辊式摩擦清洗组件本身、从基板上去除酸。因此，在用辊式摩擦清洗组件并用酸性药液对基板表面进行辊式摩擦清洗的情况下，要求用纯水对辊式摩擦清洗后的基板进行冲洗清洗。

作为对半导体晶片等基板进行处理的基板处理装置，广泛采用这样的装置：串联配置刷子清洗单元和喷射水清洗装置等多个清洗组件，一边向一方向输送基板一边对基板进行处理(清洗)。

这样，在直线状配置多个清洗组件的情况下，当增加清洗组件数量提高处理量、或要增加清洗步骤时，则装置的占用空间(设置面积)就增加，而且一边使基板向一方向移动一边进行处理，因此，清洗的顺序始终是一定的，不能与基板表面的膜质等变化相对应地进行清洗。

为了不增大占用空间地提高处理量，申请人提出了这样的基板处理装置，其具有：纵向配置有多个第1清洗组件的第1清洗室；纵向配置有多个第2清洗组件的第2清洗室；以及收纳在第1清洗室与第2清洗室之间的输送室内，在第1清洗室内的第1清洗组件与第2清洗室内的第2清洗组件之间进行基板交接的输送机械手(参照专利文献1)。

专利文献1：日本专利特开2010-50436号公报

发明所要解决的课题

在专利文献1所述的发明中，基板首先被输送到第1清洗组件，在由第1清洗组件清洗(一次清洗)后，被输送到第2清洗组件，由第2清洗组件清洗(二次清洗)。因此，专利文献1所述的发明在将基板输送到第2清洗组件进行清洗(一次清洗)后，不能将基板输送到第1清洗组件进行清洗(二次清洗)。

另外，在由辊式摩擦清洗组件构成第1清洗组件，用使用了酸性药液的辊式摩擦清洗方式对基板表面的氧化膜等进行清洗的情况下，如前所述，要求用纯水等对辊式摩擦清洗后的基板进行冲洗清洗。此外，在例如大量的浆料和研磨渣等附着在研磨结束后的基板上的情况下，在利用冲洗清洗处理等方式而预先去除附着在基板上的浆料和研磨渣等之后，由于对基板进行辊式摩擦清洗，故能防止在辊式摩擦清洗中损伤基板、微粒重新附着于基板上。但是，专利文献1所述的发明不能满足这种要求。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而做成的，其目的在于提供一种基板处理装置，获得处理量的提高及省空间化，同时能灵活地应对例如基板上的氧化膜等的膜质等的不同相对应的清洗样式的变更。

用于解决课题的手段

本发明的基板处理装置具有：第1清洗室，所述第1清洗室将至少一个以上的第1清洗组件和两个第2清洗组件配置成沿纵向连续排列；第2清洗室，所述第2清洗室沿纵向配置两个第3清洗组件；以及第1输送机械手，所述第1输送机械手收纳在所述第1清洗室与所述第2清洗室之间的第1输送室内，在所述第1清洗组件、所述第2清洗组件及所述第3清洗组件的相互间进行基板交接。

采用本发明，在用第1清洗室内的第1清洗组件对基板进行清洗后，能用两个第2清洗组件中任一方对基板进行清洗，进一步能用第2清洗室内的第3清洗组件对基板进行清洗，另外，在用第1清洗室内的两个第2清洗组件中任一方对基板进行清洗后，能用第1清洗室内的第1清洗组件对基板进行清洗，进一步能用第2清洗室内的第3清洗组件进行清洗。即，在最初的清洗，有使用第1清洗组件的情况和使用两个第2清洗组件中任一方的情况。由此，能任意选择最初清洗所使用的清洗组件，并能灵活地应对与例如基板上的氧化膜等的膜质等的不同相对应的清洗样式的变更。

在本发明的较佳形态中，所述第1输送机械手具有设在升降自如的升降台上，互相独立动作并对基板进行保持的两个手。

由此，用1个第1输送机械手进行基板的复杂交接，能减少总开销时间。

在本发明的较佳形态中，所述第1清洗组件是冲洗清洗组件，所述第2清洗组件是辊式摩擦清洗组件。