[发明专利]等离子体处理装置及方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种处理基板的装置及方法，尤其涉及一种利用等离子体处理基板的装置及方法。

背景技术

在半导体元件的制造工艺中，蚀刻、沉积以及清洗工艺等利用等离子体对基板进行处理。利用等离子体的工艺是向腔室内部喷射工艺气体，将工艺气体产生等离子体提供给基板。

韩国授权专利第10-854995号中公开了利用等离子体处理基板的装置。在所述现有技术中，在设置于腔室盖上的感应线圈（或天线）中产生电磁场，从而从工艺气体产生等离子体。

在感应线圈中，形成放射状电磁场。将在感应线圈的下部产生的电磁场提供到腔室并用于产生等离子体，但是在感应线圈的上部产生的电磁场不会提供到腔室内部。这种装置不仅减少感应线圈中产生的电磁场的使用效率，而且降低等离子体的产生效率。

现有技术文献

专利文献

韩国授权专利第10-854995号

发明内容

要解决的技术问题

本发明提供一种能够调节在腔室内部产生的等离子体密度的等离子体处理装置及方法。

并且，本发明提供一种能够提高天线产生的电磁场的使用效率的等离子体处理装置及方法。

技术方案

根据本发明的实施例的等离子体处理装置，包括：腔室，在内部形成空间；基板支承单元，位于所述腔室内并支承基板；气体供给单元，向所述腔室内供给工艺气体；等离子体源单元，位于所述腔室的上部并具有天线，其中所述天线提供使所述工艺气体产生等离子体的电磁波；反射板，位于所述天线的上部，使从所述天线向所述腔室的相反方向提供的电磁波反射到朝向所述腔室的方向；以及反射板驱动部，使所述反射板的位置移动。

并且，所述反射板驱动部能够使所述反射板在上下方向上移动。

并且，所述反射板可以为金属材质。

并且，所述天线可以为螺旋形状的线圈，所述反射板具有与所述天线对向的平坦底面。

并且，所述反射板的与所述天线对向的底面为凹陷的曲面。

此外，还可以包括：传感器，对所述腔室内产生的等离子体密度进行测量；以及控制部，根据所述传感器中测量到的等离子体密度控制所述天线驱动部，使所述反射板和所述天线的距离变化。

根据本发明的实施例的等离子体处理方法，向设有基板的腔室内部供给工艺气体，并将位于所述腔室上部的天线施加的电磁波提供到所述腔室内部，使所述工艺气体产生等离子体，其中设置在所述天线上部的反射板将从所述天线向所述腔室的相反方向提供的电磁波反射到所述腔室内部。

并且，所述反射板可以在上下方向上移动，使与天线的距离变化。

并且，所述反射板可以根据所述基板的工艺处理步骤进行移动。

并且，所述反射板可以在对一张基板的工艺进行中反复移动。

并且，可以测量所述腔室内部的等离子体密度，并根据所述等离子体密度移动所述反射板。

根据本发明的另一实施例的等离子体处理方法，通过向腔室内部提供工艺气体来处理第一基板，处理所述第一基板之后处理第二基板，所述工艺气体通过位于所述腔室上部的天线提供的电磁波而被激发为等离子态，所述第一基板的工艺处理进行期间，设置在所述天线上部的反射板在第一位置将所述电磁波反射到所述腔室内部，在所述第二基板的工艺处理期间，所述反射板在与所述第一位置不同的第二位置将所述电磁波反射到所述腔室内部。

并且，所述第一位置和所述第二位置可以在上下方向上与所述天线之间的距离不同。

并且，所述反射板可以在上下方向上反复移动。

本发明的效果

根据本发明，由于可以调节腔室内的电磁波的密度，从而调节在腔室内产生的等离子体密度。

并且，根据本发明，将从天线产生的与腔室方向相反的电磁波反射到腔室内，因此电磁波使用效率得到提高。

附图说明

图1为示出根据本发明的一个实施例的基板处理装置的剖视图；

图2为示出利用图1的基板处理装置处理基板的一个实施例的剖视图；

图3为示出利用图1的基板处理装置处理基板的另一实施例的剖视图；

图4为示出利用图1的基板处理装置处理基板的再一实施例的剖视图；

图5为示出根据本发明的另一实施例的基板处理装置的剖视图。

具体实施方式