[发明专利]半导体清洗组合物有效
| 申请号: | 201310439776.9 | 申请日: | 2013-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN103513522B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
| 发明(设计)人: | 杨高林 | 申请(专利权)人: | 青岛果子科技服务平台有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 266101 山东省青岛市崂*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 小分子抑制剂 清洗组合物 烷基二醇芳基醚 光刻胶残留物 季铵氢氧化物 腐蚀 柠檬酸 半导体清洗 非金属基材 缓冲水溶液 二氧化硅 晶片图形 柠檬酸盐 混合物 金属铝 溶剂 去除 金属 表现 | ||
1.一种用于去除光刻胶残留物的清洗组合物,其特征在于:由小分子抑制剂混合物、溶剂、季铵氢氧化物、柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液、烷基二醇芳基醚组成;
所述的柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液在清洗组合物中的含量为质量百分比30%~50%,所述小分子抑制剂的含量为0.5%~15%,所述溶剂的含量为30%~60%,所述季铵氢氧化物的含量为0.1~15%、所述烷基二醇芳基醚的含量为1~15%;
所述小分子抑制剂混合物是肉桂基咪唑啉和2-甲基-5-十二烷基异恶唑构成的混合物;
所述肉桂基咪唑啉和2-甲基-5-十二烷基异恶唑混合质量比为1:1.2~1.5。
2.如权利要求1所述的清洗组合物,其特征在于:所述肉桂基咪唑啉的制备方法具体为,
将10ml分析纯的二乙烯三胺置于四口烧瓶中,升温至150℃,滴入3ml分析纯甲苯,添加22g分析纯的肉桂酸,在氮气环境下进行搅拌,再升温至170℃开始酰化脱水,反应5h以后,升温至240℃开始环化脱水3h,反应完毕后将其置于真空干燥箱中干燥,得到棕褐色粘稠状的肉桂基咪唑啉,反应式如下:
3.如权利要求1或2所述的清洗组合物,其特征在于:所述的溶剂可选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一种或多种。
4.如权利要求1或2所述的清洗组合物,其特征在于:所述的季铵氢氧化物为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵或苄基三甲基氢氧化铵。
5.如权利要求1或2所述的清洗组合物,其特征在于:所述的烷基二醇芳基醚为丙二醇单苯基醚、异丙二醇单苯基醚、二乙二醇单苯基醚、二丙二醇单苯基醚、二异丙二醇单苯基醚、三乙二醇单苯基醚、三丙二醇单苯基醚、三异丙二醇单苯基醚、六缩乙二醇单苯基醚、六缩丙二醇单苯基醚、六缩异丙二醇单苯基醚、丙二醇单苄基醚、异丙二醇单苄基醚或己二醇单萘基醚。
6.权利要求1或2所述清洗组合物的制备方法,其特征在于:将上述各组分按比例混合,搅拌均匀,即得。
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