[发明专利]有机发光二极管显示器有效
| 申请号: | 201310435925.4 | 申请日: | 2013-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN103730482A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
| 发明(设计)人: | 方振英 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
本公开涉及有机发光二极管显示器。
背景技术
随着信息社会的发展,对能够显示图像的显示设备的需求以各种形式增加。近来,已经使用了诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)和有机发光二极管(OLED)显示器这样的各种平板显示设备。
OLED显示器由于尺寸小、轻薄、功耗低等的优点而被广泛地使用。
一般使用有源矩阵型OLED显示器,其具有布置为矩阵形式的像素,其中,每个像素包括开关晶体管。
相关技术OLED显示器包括显示板、驱动电路板和在显示板和驱动电路板之间的后盖。
显示板充当热源,因而显示板的温度随其显示操作而升高。此外,驱动电路板也充当热源。具体地说,其上安装了多个电路组件的控制板辐射大量的热。
来自控制板的热量被传递到位于正面的显示板,并且在控制板的正面的一部分显示板的温度比显示板的其他部分升高得更高。因此,在控制板的正面的这部分显示板损坏或劣化得非常快,并因而产生了热点,热点劣化了显示板的性能。
发明内容
因此,本发明致力于一种能够有效地辐射由驱动电路产生的热的OLED显示器。
本发明还致力于一种解决了与相关技术有关的限制和缺点的具有特定结构的OLED显示器。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明中进行阐述,而一部分根据描述会变得清楚,或者可以通过实施本发明而获知。可以由在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现并获得本发明的上述目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并且根据本文中所具体体现和广泛描述的发明宗旨,根据实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器包括:有机发光二极管面板;后盖,该后盖通过粘合剂附接到有机发光二极管面板;驱动电路板,该驱动电路板在后盖的背面上;以及热辐射体,该热辐射体覆盖驱动电路板,并且在平面图中粘合剂位于该热辐射体周围。
在另一方面中,有机发光二极管(OLED)显示器包括:有机发光二极管面板;后盖,该后盖在有机发光二极管面板的背面上;驱动电路板,该驱动电路板在后盖的背面上;以及金属板或热辐射板,该金属板或热辐射板在后盖的背面上,并在在该金属板或热辐射板上设置有驱动电路板,其中,后盖和热辐射板中的至少一个包括第一传热单元和隔热单元,该第一传热单元和隔热单元顺序地位于去往有机发光二极管面板的方向上。
应当理解,上文对本发明的概述与下文对本发明的详述都是示例性和解释性的,并且旨在提供对如权利要求所述的本发明的进一步的解释。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步的理解,附图被并入且构成本申请的一部分,附图例示了本发明的实施方式,并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是例示了根据本发明的第一实施方式的OLED显示器的示意性截面图;
图2是根据本发明的第一实施方式的OLED显示器的显示板的像素的示意性电路图;
图3是例示了根据本发明的第一实施方式的热辐射体和粘合剂的示意性平面图;
图4是例示了根据本发明的第一实施方式的热辐射体的示意性截面图;
图5是例示了根据本发明的第一实施方式由控制板产生的热量的热传递路径的示意图;
图6是示出了相关技术、比较例和本发明的第一实施方式的有机发光二极管面板的测量的温度的示例的视图;
图7是例示了根据本发明的第二实施方式的OLED显示器的示意性截面图;
图8是例示了根据本发明的第二实施方式的热辐射板的示意性截面图;
图9是例示了根据本发明的第二实施方式由控制板产生的热量的热传递路径的示意图;并且
图10是示出了相关技术和本发明的第二实施方式的有机发光二极管面板的测量温度的示例的视图。
具体实施方式
现在将详细地描述示例性实施方式,其示例例示在附图中。
图1是例示了根据本发明的第一实施方式的OLED显示器的示意性截面图,图2是根据本发明的第一实施方式的OLED显示器的显示板的像素的示意性电路图,图3是例示了根据本发明的第一实施方式的热辐射体和粘合剂的示意性平面图,图4是例示了根据本发明的第一实施方式的热辐射体的示意性截面图,并且图5是例示了根据本发明的第一实施方式由控制板产生的热量的热传递路径的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





