[发明专利]包括短路保护的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体芯片，包括可操作地根据输入信号（IN₁）将负载电流（i_L）从具有供给电压（V_S）的供给端子传送至输出电路节点（OUT₁）的负载电流路径；

电压比较器（16），耦接至所述供给端子且被配置为将所述供给电压（V_S）与电压阈值（V_LV）相比较，并当所述供给电压（V_S）达到所述电压阈值（V_LV）或降到所述电压阈值（V_LV）以下时，信号通知低供给电压（LV）；

过电流检测器（14，15），耦接至所述负载电流路径并被配置为将表示所述负载电流（i_L）的负载电流信号（S_C）与过电流阈值（S_TH）相比较，并当所述负载电流信号（S_C）达到或超过所述过电流阈值（S_TH）时信号通知过电流（S_OC）；

控制逻辑单元（12），被配置为当信号通知所述过电流时去激励所述负载电流，并进一步被配置为只要所述电压比较器（16）信号通知低供给电压（LV）就将所述过电流阈值（S_TH）从较高的第一值（S_HI）减小到较低的第二值（S_LO）。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑单元（12）在第一模式和第二模式中是可操作的，并且

其中，在所述第一模式中，所述控制逻辑单元（12）被配置为只要所述电压比较器（16）对所述低供给电压（LV）信号通知就将所述过电流阈值（S_TH）从所述较高的第一值（S_HI）减小至所述较低的第二值（S_LO），以当所述过电流被信号通知时去激励所述负载电流，并且进一步地在空白时间（T_BLANK）之后再激励所述负载电流，除非最大数目的过电流事件已经被信号通知。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑单元被配置为在启动时间（T_ON）过去之后从所述第一模式改变至所述第二模式，并且其中

其中，在所述第二模式中，所述控制逻辑单元（12）被配置为将所述过电流阈值设置在低于所述较高的第一值（S_HI）或等于所述较低的第二值（S_LO）的第三值，并进一步被配置为当所述过电流被信号通知时去激励所述负载电流。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在操作的所述第二模式中，所述控制逻辑单元（12）被配置为当所述过电流在没有预先再激励的情况下被信号通知时，最后去激励所述负载电流并保持所述负载电流无效直到接收了重置信号。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，所述电压比较器（16）进一步被配置为：将所述供给电压（V_S）与对应于操作所述装置所需要的最小供给电压的另一电压阈值（V_UV）相比较；并当所述供给电压（V_S）达到或低于所述最小供给电压（V_UV）时对欠压（U_V）信号通知，所述电压阈值（V_LV）高于所述最小供给电压（V_UV）并低于所述装置的额定供给电压。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑单元包括被配置为计算由所述过电流检测器（14，15）信号通知的所述过电流的次数的计数器，所述计数器响应于指示激励所述负载电流的所述输入信号（IN₁）的转换而被重置。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑单元包括被配置为测量所述启动时间（T_ON）的计时器，所述计时器响应于指示激励所述负载电流的所述输入信号（IN₁）的转换而被重置。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，进一步包括串行总线接口，所述串行总线接口耦接至所述控制逻辑电路（12）并被配置为能够在所述控制逻辑电路（12）和外部设备之间进行数据交换。