[发明专利]互补TFET及其制造方法

权利要求书

1.一种互补TFET，包括：

nTFET，包括

InSb体区上方的第一金属栅(60a)，

第一掺杂类型的InSb源区(71a)，和

与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的InSb漏区(72a)；以及

pTFET，包括

GaSb体区上方的第二金属栅(60b)，

第一掺杂类型的GaSb漏区(72b)，和

与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的GaSb源区(71b)。

2.如权利要求1所述的互补TFET，其中，nTFET还包括位于InSb体区与第一金属栅之间的高k氧化物(61a)，pTFET还包括位于GaSb体区与第二金属栅之间的高k氧化物(61b)。

3.如权利要求1所述的互补TFET，其中，所述互补TFET是高迁移率TFET。

4.如权利要求2所述的互补TFET，其中，nTFET还包括位于高k氧化物和第一金属栅两侧的间隔物(62a)，pTFET还包括位于高k氧化物和第二金属栅两侧的间隔物(62b)。

5.如权利要求1所述的互补TFET，其中，nTFET和pTFET位于由Ge外延层(13)/SiGe缓冲层(12)/Si衬底(11)构成的基板上。

6.如权利要求1所述的互补TFET，其中，第一掺杂类型包括n型掺杂，第二掺杂类型包括p型掺杂。

7.如权利要求1所述的互补TFET，其中，第一掺杂类型包括p型掺杂，第二掺杂类型包括n型掺杂。

8.如权利要求1所述的互补TFET，其中，浅沟槽隔离物(20)位于nTFET与pTFET之间，所述浅沟槽隔离物包括氧化物。

9.如权利要求8所述的互补TFET，其中，nTFET的源区和漏区的掺杂浓度均不小于1×10¹⁹cm^-3，pTFET的源区和漏区的掺杂浓度均不小于1×10¹⁹cm^-3。

10.一种制造互补TFET的方法，包括：

提供基板(10)；

分别形成nTFET和pTFET的有源区(30、50)；

分别形成nTFET和pTFET的金属栅(60a、60b)；以及

分别形成nTFET的具有不同掺杂类型的源区和漏区以及pTFET的具有不同掺杂类型的漏区和源区(71a、71b；72a、72b)，

其中pTFET区的有源区由GaSb形成，nTFET区的有源区由InSb形成。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述互补TFET是高迁移率TFET。

12.如权利要求10所述的方法，其中，在nTFET的金属栅与有源区之间形成高k氧化物，在pTFET的金属栅与有源区之间形成高k氧化物。

13.如权利要求10所述的方法，其中：

在nTFET和pTFET的要形成沟道区的区域上方分别形成nTFET和pTFET的金属栅(60a、60b)；

对nTFET和pTFET的要形成沟道区的区域两侧分别进行第一掺杂类型和与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的掺杂，从而形成nTFET的源区和漏区以及pTFET的漏区和源区(71a、71b；72a、72b)。

14.如权利要求12所述的方法，其中，在nTFET的高k氧化物和金属栅两侧形成间隔物，在pTFET的高k氧化物和金属栅两侧形成间隔物。

15.如权利要求13所述的方法，其中，分别通过选择性外延生长nTFET和pTFET的有源区(30、50)。

16.如权利要求10所述的方法，其中，所述基板是沉积在Si衬底上的Ge外延层，并且在Si衬底和Ge外延层之间形成SiGe缓冲层。

17.如权利要求13所述的方法，其中，其中，第一掺杂类型包括n型掺杂，第二掺杂类型包括p型掺杂。

18.如权利要求13所述的方法，其中，第一掺杂类型包括p型掺杂，第二掺杂类型包括n型掺杂。