[发明专利]一种稳定性强且电导率高的单层石墨烯薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种稳定性强且电导率高的单层石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：

1）将基片亲水化处理；

2）将亲水处理后的基片浸泡在新配置的硅烷偶联剂溶液中，浸泡时间为1-2小时；

3）取出经硅烷偶联剂溶液浸泡的基片，清洗，得到改性基片；

4）氧化还原法制备单层石墨烯溶液；

5）在室温条件下将步骤3）得到的改性基片浸入步骤4）的石墨烯溶液中，浸泡时间为5-20分钟，然后取出基片，将基片真空干燥即得到单层石墨烯薄膜。

2.如权利要求1所述的单层石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中的硅烷偶联剂为氨基硅烷类偶联剂或双烷氧硅基类硅烷偶联剂。

3.如权利要求1所述的单层石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中的硅烷偶联剂溶液中的溶剂为丙酮或者N,N-二甲基甲酰胺，所述硅烷偶联剂与溶剂体积比1:500-1:1000，水解时间1-2小时，温度20-50℃。

4.如权利要求1所述的单层石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤5）中的真空干燥的温度为90℃、干燥时间为1小时。

5.如权利要求1所述的单层石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述基片为硅片、玻璃片、氧化铟锡片、掺氟氧化锡片、或氧化铝片。

6.如权利要求1所述的单层石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤4）中制备单层石墨烯溶液的具体方法为：将氧化还原法制备的羧基化石墨烯溶液过滤、超声、离心，反复数次得到单层石墨烯溶液。