[发明专利]垂直的微电子元件以及相应的制造方法

权利要求书

1.垂直的微电子元件，其具有

半导体基（1；1’’’），该半导体基具有正面（O）和背面（R）；

大量在半导体基（1；1’’’）的正面（O）上形成的鳍状物（1a、1b）的结构，所述鳍状物具有相应的侧壁（S）和相应的上侧（T）并且通过凹穴（G）相互分开；

其中每个鳍状物（1a、1b）具有：

至少一个GaN/AlGaN-异层区域（2a、2b），所述GaN/AlGaN-异层区域形成在侧壁（S）上并且具有嵌入的通道区域（K），该通道区域平行于侧壁（S）延伸；

至少一个门接口区域（G1-G4），该门接口区域在GaN/AlGaN-异层区域（2a、2b）上方相对于所属的凹穴（G）中的通道区域（K）电绝缘地布置在侧壁（S）上；

共同的源接口区域（SL），该源接口区域布置在鳍状物（1a、1b）上方并且与鳍状物（1a、1b）上侧（T）附近的通道区域（K）的各个第一端部连接；以及

共同的排出接口区域（DL），该排出接口区域布置在背面（R）的上方并且与半导体基（1、1’’’）的正面（O）附近的通道区域（K）的各个第二端部连接。

2.按权利要求1所述的垂直的微电子元件，其中，每个鳍状物（1a、1b）具有两个GaN/AlGaN-异层区域（2a、2b），所述GaN/AlGaN-异层区域形成在侧壁（S）的对置的侧面上并且具有相应嵌入的通道区域（K）以及两个门接口区域（G1-G4），所述通道区域平行于侧壁（S）延伸，所述门接口区域在所述两个GaN/AlGaN-异层区域（2a、2b）的上方相对于所属的凹穴（G）中的通道区域（K）电绝缘地布置在侧壁（S）上。

3.按权利要求1或2所述的垂直的微电子元件，其中，所述门接口区域（G1-G4）通过平行的凹穴（G）中相应的门导线（Ga-Gi）进行电连接并且所述门导线（Ga-Gi）在共同的门接口（GG）上电连接在一起。

4.按权利要求1或2所述的垂直的微电子元件，其中，在各个门接口区域（G1-G4）和所属的GaN/AlGaN-异层区域（2a、2b）之间布置门绝缘层（GD）。

5.按权利要求1或2所述的垂直的微电子元件，其中，所述背面（R）具有其它凹穴（G’），在这些其它凹穴中共同的排出接口区域（DL）与通道区域（K）的相应的第二端部连接。

6.用于制造垂直的微电子元件的方法，具有以下步骤：

提供半导体基（1；1’’’），该半导体基具有正面（O）和背面（R）；

通过槽蚀刻处理形成在半导体基（1；1’’’）的正面（O）上大量鳍状物（1a、1b）的结构，所述鳍状物具有相应的侧壁（S）以及相应的上侧（T）并且通过凹穴（G）相互分开；

将GaN/AlGaN-异层区域（2a’、2b’）的各个异层区域（2a、2b）形成在侧壁（S）上；

在正面（O）上方沉积第一绝缘层（I）并且将第一绝缘层（I）重新抛光到鳍状物（1a、1b）的上侧（T）上；

将第一绝缘层（I）后蚀刻到凹穴（G）中预先确定的高度（d）上；

门接口区域（G1-G4）在各个GaN/AlGaN-异层区域（2a、2b）上方相对于所属的凹穴（G）中的通道区域（K）电绝缘地形成在侧壁（S）上；

在正面（O）上方沉积第二绝缘层（I’；I’’）；

在第二绝缘层（I’；I’’）中形成接触孔（K1-K4）用于露出鳍状物（1a、1b）上侧（T）附近的通道区域（K）的各个第一端部；

形成共同的源接口区域（SL），该源接口区域布置在鳍状物（1a、1b）上方并且通过接触孔（K1-K4）与鳍状物（1a、1b）上侧（T）附近的通道区域（K）的各个第一端部连接；

从背面（R）起露出半导体基（1；1’’’）正面（O）附近的通道区域（K）的各个第二端部；并且

形成共同的排出接口区域（DL），该排出接口区域布置在背面（R）上方并且与半导体基（1；1’’’）的正面（O）附近的通道区域（K）的各个第二端部连接。