[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于具有：

p型集电区；

n型漂移区，其配置于所述集电区上；

p型基区，其配置于所述漂移区上；

n型发射区，其配置于所述基区上；

栅氧化膜，其配置于如下槽的底面及侧表面，该槽是从所述发射区的上表面延伸而贯穿所述发射区及所述基区来形成的；以及

栅电极，其隔着所述栅氧化膜与所述基区相对地嵌入到所述槽的内部，

所述基区的下表面的位置在与所述栅氧化膜接触的区中比离开所述栅氧化膜的区浅。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

该半导体装置还具有n型载流子蓄积区，该n型载流子蓄积区配置于所述漂移区与所述基区之间的至少一部分中，且杂质浓度高于所述漂移区。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述载流子蓄积区与所述栅氧化膜接触，所述载流子蓄积区的上表面的位置在与所述栅氧化膜接触的区中比离开所述栅氧化膜的区浅。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

所述载流子蓄积区的下表面相比于所述槽的底部位于下方。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽的底部相比于所述载流子蓄积区的下表面的与所述栅氧化膜接触的位置位于下方，

所述载流子蓄积区的下表面的位置在与所述栅氧化膜接触的区比离开所述栅氧化膜的区深。

6.一种半导体装置，其特征在于具有：

p型集电区；

n型漂移区，其配置于所述集电区上；

p型基区，其配置于所述漂移区上；

n型发射区，其配置于所述基区上；

栅氧化膜，其配置于如下槽的底面及侧表面，该槽是从所述发射区的上表面延伸而贯穿所述发射区及所述基区来形成的；以及

栅电极，其隔着所述栅氧化膜与所述基区相对地嵌入到所述槽的内部，

该半导体装置具有所述基区的杂质浓度随着离开所述栅氧化膜而变高的部分。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

该半导体装置还具有n型载流子蓄积区，该n型载流子蓄积区配置于所述漂移区与所述基区之间的至少一部分中，且杂质浓度高于所述漂移区，

该半导体装置具有所述载流子蓄积区的杂质浓度随着离开所述栅氧化膜而变低的部分。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

通过杂质扩散法或外延生长法，在n型漂移区上形成p型基区；

在所述基区上形成n型发射区；

形成从所述发射区的上表面延伸而贯穿所述发射区及所述基区的槽；

通过对所述槽的内壁进行氧化而形成栅氧化膜，将所述基区中的与所述栅氧化膜接触的区的p型杂质取入到所述栅氧化膜中，从而使所述基区的与所述栅氧化膜接触的区的下表面的位置比其他区浅；以及

嵌入到所述槽的内部而形成栅电极。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

该制造方法还包括如下步骤：在形成所述基区之前，通过杂质扩散法或外延生长法，在所述漂移区上形成杂质浓度高于所述漂移区的n型载流子蓄积区，

以所述槽的底部的位置比所述载流子蓄积区的上表面深的方式形成所述槽。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

以到达所述载流子蓄积区的方式形成所述槽，

通过对所述槽的内壁进行氧化而形成所述栅氧化膜，将所述载流子蓄积区中的与所述栅氧化膜接触的区的n型杂质压出到离开所述栅氧化膜的区，从而使所述载流子蓄积区的与所述栅氧化膜接触的区的上表面的位置比其他区浅。