[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310424757.9 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103715250A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 金村雅仁;吉木纯 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/335;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括:
化合物半导体堆叠结构;以及
形成在所述化合物半导体堆叠结构上方的电极，所述电极包括:
具有第一低电阻金属的第一电极层;以及
设置在所述化合物半导体堆叠结构和所述第一电极层之间的第二电极层，所述第二电极层具有第二低电阻金属固溶于其中的第一氮化物导体。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述电极还包括设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间的第三电极层，所述第三电极层具有第二氮化物导体和第三低电阻金属的化合物。
3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，其中所述第一低电阻金属和所述第二低电阻金属是相同的。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第一氮化物导体和所述第二氮化物导体是相同的。
5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括:
形成在所述化合物半导体堆叠结构上的保护绝缘膜，所述保护绝缘膜具有其侧面是正向锥形形状的开口，
其中所述电极填充所述开口的内侧并且形成在所述保护绝缘膜上。
6.一种制造化合物半导体器件的方法，包括:
形成化合物半导体堆叠结构;以及
在所述化合物半导体堆叠结构上方形成电极，所述电极包括:
具有第一低电阻金属的第一电极层;以及
设置在所述化合物半导体堆叠结构和所述第一电极层之间的第二电极层，所述第二电极层具有第二低电阻金属固溶于其中的第一氮化物导体。
7.根据权利要求6所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述电极还包括设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间的第三电极层，所述第三电极层具有第二氮化物导体和第三低电阻金属的化合物。
8.根据权利要求6或7所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述第一低电阻金属和所述第二低电阻金属是相同的。
9.根据权利要求6所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述第一氮化物导体和所述第二氮化物导体是相同的。
10.根据权利要求6所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括:
在所述化合物半导体堆叠结构上形成保护绝缘膜，所述保护绝缘膜具有其侧面为正向锥形形状的开口，
其中所述电极填充所述开口的内侧并且形成在所述保护绝缘膜上。
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