[发明专利]一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法

权利要求书

1.一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法，其特征是，包括以下步骤：

第一步，对已经完成TSV电镀填充的衬底，采用机械刮平的方式处理衬底表面，消除表面金属层的凸出或凹坑；

第二步，采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式，减薄衬底表面金属层；

第三步，光刻获得第一层再布线层图形，并以衬底表面剩余金属层为种子层，电镀获得再布线金属层；

第四步，去除光刻胶，并腐蚀去除衬底表面的金属层和扩散阻挡层，完成第一层再布线层的制造。

2.如权利要求1所述的一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法，其特征是，第一步机械刮平前，所述完成TSV电镀填充的衬底已经完成退火处理。

3.如权利要求1所述的一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法，其特征是，第一步机械刮平前，在衬底表面涂覆一层聚合物层。

4.如权利要求3所述的一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法，其特征是，所述聚合物层材料是光刻胶、聚酰亚胺或苯并环丁烯。

5.如权利要求1所述的一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法，其特征是，第二步将衬底表面金属层减薄至厚度小于500nm大于50nm。

6.如权利要求1所述的一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法，其特征是，第一步中所述TSV由金属铜填充，填充方式为电镀。

7.如权利要求1所述的一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法，其特征是，所述衬底在完成TSV电镀填充工艺之后，避免使用边缘腐蚀的步骤，保留边缘金属层。