[发明专利]寿命OLED显示器在审
| 申请号: | 201310418357.7 | 申请日: | 2013-09-13 |
| 公开(公告)号: | CN103681762A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | 迈克尔·哈克;朱莉娅·J·布朗;迈克尔·S·韦弗;莫罗·普雷穆蒂科 | 申请(专利权)人: | 环球展览公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王璐 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 寿命 oled 显示器 | ||
1.一种装置,其包括:
发光区,其包括像素,所述像素包括:
第一子像素,其包括具有第一峰值发射波长的第一发光层;以及
第二子像素,其包括具有不同于所述第一峰值发射波长的第二峰值发射波长的第二发光层;以及
第三发光层,其具有不同于所述第一峰值发射波长的第三峰值发射波长,所述第三发光层安置在所述第二发光层上;
其中所述第一子像素中的发光层的数目不同于所述第二子像素中的发光层的数目。
2.根据权利要求1所述的装置,所述像素进一步包括:
第三子像素,其包括具有不同于所述第一、第二和第三峰值发射波长中的每一者的第四峰值发射波长的第四发光层。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述第一、第二和第三子像素中的每一者分别包括m、n和p个发光层,且其中m不等于n,且n不等于p。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一峰值发射波长在580到700nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一峰值发射波长在500到580nm的范围内。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二峰值发射波长在400到500nm的范围内。
7.一种发光装置,其包括:
发光区,其包括像素,所述像素包括多个子像素;
第一电源,其将第一电压提供给所述多个子像素中的第一子像素;以及
第二电源,其将不同于所述第一电压的第二电压提供给所述多个子像素中的第二子像素。
8.一种制造发光装置的区的方法,所述方法包括:
将第一发光材料沉积在衬底的第一区上,所述第一发光材料具有第一峰值发射波长;
将第二发光材料沉积在不同于所述衬底的所述第一区的所述衬底的第二区上,所述第二发光材料具有不同于所述第一峰值发射波长的第二峰值发射波长;以及
将第三发光材料沉积在所述第二发光材料上,所述第三发光材料具有不同于所述第一峰值发射波长的第三峰值发射波长。
9.一种装置,其包括:
第一多个子像素条,每一条包括具有第一峰值发射波长的第一发光层;以及
第二多个子像素条,每一条包括:
第二发光层,其具有不同于所述第一峰值发射波长的第二峰值发射波长;以及
第三发光层,其具有不同于所述第一峰值发射波长的第三峰值发射波长,所述第三发光层安置在所述第二发光层上;
其中所述第一子像素条中的发光层的数目不同于所述第二子像素条中的发光层的数目。
10.根据权利要求9所述的装置,所述像素进一步包括:
第三多个子像素条,每一条包括具有不同于所述第一、第二和第三峰值发射波长中的每一者的第四峰值发射波长的第四发光层。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述第一、第二和第三多个子像素条中的每一者中的每一条分别包括m、n和p个发光层,且其中m不等于n,且n不等于p。
12.根据权利要求9所述的装置,其中所述第一峰值发射波长在580到700nm的范围内。
13.根据权利要求9所述的装置,其中所述第一峰值发射波长在500到580nm的范围内。
14.根据权利要求9所述的装置,其中所述第二峰值发射波长在400到500nm的范围内。
15.一种发光装置,其包括:
第一多个子像素;
第二多个子像素,其不同于所述第一多个子像素;
第一电源,其将第一电压提供给所述第一多个子像素中的每一者;以及
第二电源,其将不同于所述第一电压的第二电压提供给所述第二多个子像素中的每一者。
16.根据权利要求1到12中的任一权利要求所述的装置,其中所述装置包括选自由以下各项组成的群组的类型的装置:全色显示器、移动装置、具有挠性显示器的消费型产品、具有透明显示器的消费型产品、便携式装置、平板装置、智能手机、照明装置、无线手持式装置、色彩可调整照明装置和电视机。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





