[发明专利]一种磁传感装置及该磁传感装置的制备工艺在审
| 申请号: | 201310415659.9 | 申请日: | 2013-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN104459575A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
| 发明(设计)人: | 杨鹤俊;张挺 | 申请(专利权)人: | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;H01L43/12 |
| 代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 王松 |
| 地址: | 201815 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 传感 装置 制备 工艺 | ||
1.一种磁传感装置,其特征在于,所述装置包括第三方向磁传感部件,所述第三方向磁传感部件包括:
基底,其表面开有沟槽;
导磁单元,包括第一导磁单元、第二导磁单元,所述第一导磁单元的主体部分设置于沟槽内,并有部分露出沟槽至基底表面;所述第二导磁单元的主要部分设置于沟槽内,第二导磁单元与第一导磁单元之间设有第一介质材料;所述导磁单元用以感应第三方向的磁信号,并将该磁信号输出到感应单元进行测量;
感应单元,设置于所述基底表面上,用以测量第一方向或/和第二方向的磁场,结合导磁单元输出的磁信号,能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场;第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直。
2.根据权利要求1所述的磁传感装置,其特征在于:
所述第二导磁单元与第一导磁单元之间设有的第一介质材料层,第一介质材料层设置于第一导磁单元上;第一介质材料层的主要部分位于沟槽内。
3.根据权利要求2所述的磁传感装置,其特征在于:
所述第二导磁单元设置于所述第一介质材料层的侧壁,第二导磁单元主体部分与基底平面的夹角为45°~90°;第二导磁单元用以帮助第一导磁单元吸引周边的磁场,最终通过第一导磁单元将磁信号发给感应单元。
4.根据权利要求2所述的磁传感装置,其特征在于:
所述导磁单元还包括第二介质材料层;
所述第二介质材料层将第二导磁单元固定在所述第一介质材料层与第二介质材料层之间。
5.根据权利要求1所述的磁传感装置,其特征在于:
所述感应单元包括磁性材料层、电极层;所述电极层设置于磁性材料层上。
6.根据权利要求1所述的磁传感装置,其特征在于:
所述磁传感装置还包括第一方向磁传感部件、第二方向磁传感部件,分别用来感应第一方向、第二方向的磁场;所述第一方向、第二方向、第三方向分别为X轴、Y轴、Z轴。
7.根据权利要求1至6之一所述的磁传感装置,其特征在于:
所述导磁单元包括若干导磁子单元,所述第一导磁单元、第二导磁单元作为其中两个导磁子单元;
各导磁子单元的主体部分设置于沟槽内,导磁子单元的主体部分与基底平面的夹角为45°~90°;各导磁子单元之间通过介质材料隔开。
8.一种磁传感装置的制备工艺,其特征在于,所述制备工艺包括制备第三方向磁传感部件的步骤,具体包括如下步骤:
步骤S1、在基底的表面设置沟槽;
步骤S2、在包含有沟槽的基底表面沉积第一磁性材料,形成第一磁性材料层;
步骤S3、沉积第一介质材料,形成第一介质材料层;
步骤S4、沉积第二磁性材料,形成第二磁性材料层;
步骤S5、回刻第二磁性材料层,刻蚀至第一介质材料层上、位于沟槽内第一介质材料层侧壁的第二磁性材料;
步骤S6、沉积第二介质材料,形成第二介质材料层,用以保护位于第一介质材料层侧壁的第二磁性材料;
步骤S7、沉积光刻胶,曝光,显影;
步骤S8、刻蚀形成ARM图形,去除部分磁性材料,去除光刻胶;在基底上分别形成感应单元的磁性材料层、导磁单元;导磁单元的主体部分形成于沟槽内,并有部分露出沟槽至基底表面,导磁单元包括位于沟槽侧壁的部分以及第一介质材料层侧壁的部分,导磁单元用以感应第三方向的磁信号,并将该磁信号输出到感应单元进行测量;感应单元的磁性材料层形成于沟槽外,感应单元用以测量第一方向或/和第二方向的磁场,结合导磁单元输出的磁信号,能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场;第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直;
步骤S9、沉积第三介质材料;
步骤S10、通过光刻工艺和刻蚀工艺形成接触窗口;
步骤S11、沉积金属层,并刻蚀,形成感应单元的电极层。
9.根据权利要求8所述的磁传感装置的制备工艺,其特征在于:
所述步骤S5中,回刻第二磁性材料层,仅保留第一介质材料层上、位于沟槽内第一介质材料层侧壁的第二磁性材料。
10.根据权利要求8所述的磁传感装置的制备工艺,其特征在于:
所述制备工艺包括制备X轴、Y轴磁传感部件的步骤。
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