[发明专利]石英晶体镀膜厚度控制方法及石英晶体镀膜装置

权利要求书

1.石英晶体镀膜厚度控制方法，根据镀膜前的石英晶体起始振荡频率和镀膜后的石英晶体振荡频率计算镀膜厚度；其特征在于，减少因石英晶体片温度升高而使石英晶体片振荡频率升高所引起的厚度测量误差。

2.根据权利要求1所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，提供一频率补偿值，将镀膜前的石英晶体振荡频率加上频率补偿值作为起始振荡频率或者将实时检测的镀膜后石英晶体振荡频率减去频率补偿值作为镀膜后石英晶体振荡频率，根据两个振荡频率值计算得到厚度差为实际膜层厚度；或者提供一厚度补偿值，根据镀膜前的石英晶体起始振荡频率和镀膜后的石英晶体振荡频率计算镀膜厚度，再加上厚度补偿值，作为镀膜实际厚度。

3.根据权利要求2所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，还包括一频率补偿值检测步骤，确定所述频率补偿值。

4.根据权利要求3所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述频率补偿值检测步骤包括:将蒸发源关闭时刻检测的镀膜石英晶体的振荡频率值与蒸发源关闭后镀膜石英晶体温度不再变化时的镀膜石英晶体的振荡频率之差，作为频率补偿值。

5.根据权利要求3所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，将蒸发源关闭时刻检测的镀膜石英晶体的振荡频率值与蒸发源关闭后大于等于晶振探头温度时间常数时刻的镀膜石英晶体的振荡频率之差，作为频率补偿值。

6.根据权利要求5所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，将蒸发源关闭时刻检测的石英晶体的振荡频率值与蒸发源关闭后不小于3倍晶振探头温度时间常数时刻的石英晶体的振荡频率值之差，作为所述频率补偿值。

7.根据权利要求2所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，还包括一厚度补偿值检测步骤，确定所述厚度补偿值。

8.根据权利要求7所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述厚度补偿检测步骤包括：将蒸发源关闭时刻检测的石英晶体的振荡频率测量值与蒸发源关闭后不小于晶体振荡器温度时间常数时刻的石英晶体的振荡频率测量值之差转换的厚度值作为所述厚度补偿值。

9.根据权利要求7所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述厚度补偿检测步骤包括：通过膜厚控制仪控制进行两次膜厚设定值相同的镀膜；首先提供一第一参比片，分n1次完成镀膜，利用光谱分析法检测第一参比片的镀膜厚度为d1；再提供一第二参比片，分n2次镀膜，再利用光谱分析法检测第二参比片的镀膜厚度为d2；n2不等于n1；所述厚度补偿值为（d2-d1）/(n2-n1)/k；所述k为厚度关系比，其值为第一参比片的镀膜厚度或第二参比片镀膜厚度与对应石英晶体片的镀膜厚度的比值。

10.根据权利要求9所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述第一参比片和第二参比片为玻璃基片。

11.根据权利要求9所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述n1为大于等于1的自然数。

12.根据权利要求9所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述n2为大于等于5的自然数。

13.根据权利要求9所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，每相邻两次镀膜之间的时间间隔大于等于温度时间常数。

14.石英晶体镀膜装置，其特征在于，采用权利要求1至13任一权利要求所述的石英晶体镀膜厚度控制方法控制镀膜厚度。

15.根据权利要求14所述的石英晶体镀膜装置，其特征在于，包括晶体振荡器和膜厚控制仪，所述膜厚控制仪控制晶体振荡器为石英晶体镀膜并控制镀膜厚度；所述膜厚控制仪接收晶体振荡器检测的石英晶体的振荡频率数据，并将其转换为镀膜厚度数据。

16.根据权利要求15所述的石英晶体镀膜装置，其特征在于，所述膜厚控制仪采用权利要求1至13任一权利要求所述的石英晶体镀膜厚度控制方法控制镀膜厚度。

17.根据权利要求14所述的石英晶体镀膜装置，其特征在于，包括晶体振荡器、膜厚控制仪和上位机；所述上位机控制所述膜厚控制仪进行石英晶体镀膜；所述上位机采用权利要求1至13任一权利要求所述的石英晶体镀膜厚度控制方法控制镀膜厚度。