[发明专利]一种宽频振动能量采集器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种振动能量采集器结构的制造方法，该方法包括以下步骤：

a)提供下框架（101）和上框架（102），并分别在下框架（101）的上表面和上框架（102）的下表面形成金属层(103)；

b)提供压电薄膜（104），并在其表面形成金属层(105)；

c)利用下框架（101）和上框架（102）将压电薄膜（104）固定在中间，形成三明治结构；

d)在压电薄膜中间位置设置质量块（106）。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述下框架（101）和上框架（102）是具有非对称边框结构的体硅片。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的制造方法，其中体硅片的非对称边框结构是用激光划片的或者KOH溶液腐蚀方式加工而成。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤a）和步骤b）所述的框架上的金属层（103）和压电薄膜上的金属层（105）是通过溅射或者蒸发金属薄膜的方式形成的。

5.根据权利要求1中步骤c）所述的制造方法，利用上框架（102）、下框架（101）对压电薄膜（104）进行固定的方式是在相互接触的部位进行导电性键合。

6.根据权利要求5中所述的制造方法，在进行导电性键合之后，上框架（102）与压电膜薄（104）、下框架（101）与压电薄膜（104）之间均有良导电性。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中压电薄膜（104）是具有压电特性的有机薄膜。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤b）所述的压电薄膜（104）两侧均形成有金属层（105）。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤d）所述的质量块（106）与压电薄膜（104）使用强力胶形成高强度黏附。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述质量块（106）的材料是Ni。

11.一种震动能量采集器结构，包括：

下框架（101）；

压电薄膜（104），位于所述下框架（101）上方；

上框架（102），位于所述压电薄膜（104）的上方，且与所述下框架（101）将压电薄膜（104）固定在中间，形成三明治结构；

质量块（106），位于所述压电薄膜（104）中间位置的上方。

12.根据权利要求11所述的震动能量采集器结构，其中所述上框架（102）和下框架（101）具有非对称的边框结构。

13.根据权利要求11所述的震动能量采集器结构，其中上框架（102）与压电膜薄（104）、下框架（101）与压电薄膜（104）之间通过导电性键合的方式固定。

14.根据权利要求11所述的振动能量采集器结构，其中所述质量块（106）与压电薄膜（104）之间使用强力胶形成高强度黏附。