[发明专利]基于紫外线的清洗方法及清洗装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置生产领域，尤其涉及一种基于紫外线的清洗方法及清洗装置。

背景技术

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置（Liquid Crystal Display，LCD）及有机发光显示装置（Organic Light Emitting Display，OLED）。

请参阅图1，现有的液晶显示面板一般包括：薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）基板302与薄膜晶体管基板302相对贴合设置的彩色滤光片（Color Filter，CF）基板304及设于薄膜晶体管基板302与彩色滤光片基板304之间的液晶层306，所述薄膜晶体管基板302驱动液晶层306内的液晶分子转动，以显示相应的画面。

现有的有机发光显示装置按驱动方式分类，包括：无源矩阵式有机发光显示装置（Passive-matrix organic light emitting diode，PMOLED）与有源矩阵式有机发光显示装置（Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED），其中，请参阅图2，所述有源矩阵式有机发光显示装置一般包括：基板502、形成于基板502上的薄膜晶体管504及形成于薄膜晶体管504上的有机发光二极管506，所述薄膜晶体管504驱动有机发光二极管506发光，进而显示相应画面。

在基板的制备过程中，清洗工艺的工作量占总工作量的30%-40%，且洗净度的要求极高。目前，精细洗净技术主要有两种，一种是干式洗净技术，一种是湿式洗净技术。湿式洗净技术又分为化学洗净和物理洗净。传统的化学洗净已经不能满足要求，湿式洗净技术的不足之处是在清洗过程中需要用到大量纯水和有毒化学溶剂，易造成作业人员危害及环境污染。

紫外线表面清洗技术是非接触式高清洁干法表面处理技术。其特点是：清洗后的洁净度能够到达原子级，它借助光和气的作用把玻璃表面粘附的各类有机物彻底清除干净，由于不直接接触表面就不会造成基板表面的损伤，同时不会对环境造成污染。

紫外线清洗的基本原理：UV光源发射波长为185nm和254nm的光波，具有很高的能量，当这些光子作用到被清洗物体表面时，由于大多数碳氢化合物对185nm波长的紫外光具有较强的吸收能力，并在吸收185nm波长的紫外光的能量后分解成离子、游离态原子、受激分子和中子，这就是所谓光敏作用。空气中的氧气分子在吸收了185nm波长的紫外光后也会产生臭氧和原子氧。臭氧对254nm波长的紫外光同样具有强烈的吸收作用，臭氧又分解为原子氧和氧气。其中原子氧是极活泼的,在它作用下，物体表面上的碳和碳氢化合物的分解物可化合成可挥发的气体：二氧化碳和水蒸气等逸出表面，从而彻底清除了黏附在物体表面上的碳和有机污染物。

现有OLED及低温多晶硅（Low Temperature Poly-silicon，LTPS）技术的TFT制程中等效紫外线（Equivalent Ultraviolet，EUV）清洗使用波长为172nm的紫外光，在清洗制程过程中紫外线对金属电极照射会造成电子激发，在金属图形间产生电势差，当电势差大于图形间击穿电压，就会对电路造成击伤，产生不可修复的损伤，影响产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于紫外线的清洗方法，洗净度高，且能有效避免紫外线清洗时，对电路造成的击伤，提高产品良率。

本发明的另一目的在于提供一种基于紫外线的清洗装置，其结构简单，操作方便，洗净度高，且能有效提高产品良率。

为实现上述目的，本发明提供一种基于紫外线的清洗方法，包括以下步骤：

步骤1、对待清洗基板进行紫外线照射，并控制该紫外线的输出能量，以控制在照射时间内待清洗基板上的TFT元器件图形吸收到的光子能量小于TFT元器件图形击穿所需要的电子激发电量；

步骤2、采用碱性溶液对该待清洗基板进行清洗；

步骤3、采用水气二流体对该待清洗基板进行清洗；

步骤4、采用去离子水对该待清洗基板进行清洗；

步骤5、对该待清洗基板进行风刀干燥；

步骤6、对该待清洗基板进行去水干燥，完成清洗。

所述紫外线的波长为172nm，所述紫外线的输出能量小于或等于130mj/cm²。

所述碱性溶液为四甲基氢氧化铵溶液。

所述四甲基氢氧化铵溶液中四甲基氢氧化铵的质量浓度为0.4%-2.38%。