[发明专利]基于紫外线的清洗方法及清洗装置

权利要求书

1.一种基于紫外线的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、对待清洗基板进行紫外线照射，并控制该紫外线的输出能量，以控制在照射时间内待清洗基板上的TFT元器件图形吸收到的光子能量小于TFT元器件图形击穿所需要的电子激发电量；

步骤2、采用碱性溶液对该待清洗基板进行清洗；

步骤3、采用水气二流体对该待清洗基板进行清洗；

步骤4、采用去离子水对该待清洗基板进行清洗；

步骤5、对该待清洗基板进行风刀干燥；

步骤6、对该待清洗基板进行去水干燥，完成清洗。

2.如权利要求1所述的基于紫外线的清洗方法，其特征在于，所述紫外线的波长为172nm，所述紫外线的输出能量小于或等于130mj/cm²。

3.如权利要求1所述的基于紫外线的清洗方法，其特征在于，所述碱性溶液为四甲基氢氧化铵溶液。

4.如权利要求3所述的基于紫外线的清洗方法，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵溶液中四甲基氢氧化铵的质量浓度为0.4%-2.38%。

5.一种基于紫外线的清洗装置，其特征在于，包括：

传送装置（10），用于承载及传送待清洗基板（20）；

紫外线发射装置（30），位于传送装置（10）的上方，用于向待清洗基板（20）发射波长为172nm的紫外线，该波长为172nm的紫外线的输出能量小于或等于130mj/cm²；

第一喷洒装置（40），位于传送装置（10）的上方，且位于紫外线发射装置（30）的一侧，用于向待清洗基板（20）喷洒碱性溶液；

喷淋装置（50），位于传送装置（10）的上方，且位于第一喷洒装置（40）远离紫外线发射装置（30）的一侧，用于向待清洗基板（20）喷淋水气二流体；

第二喷洒装置（60），位于传送装置（10）的上方，且位于喷淋装置（50）远离第一喷洒装置（40）的一侧，用于向待清洗基板（20）喷洒去离子水；

吹风装置（70），位于传送装置（10）的上方，且位于第二喷洒装置（60）远离喷淋装置（50）的一侧，用于向待清洗基板（20）吹风；

烘干装置（80），位于传送装置（10）的上方，且位于吹风装置（70）远离第二喷洒装置（60）的一侧，用于对待清洗基板（20）进行烘干。

6.如权利要求5所述的基于紫外线的清洗装置，其特征在于，所述紫外线发射装置（30）为紫外光灯。

7.如权利要求5所述的基于紫外线的清洗装置，其特征在于，所述碱性溶液为四甲基氢氧化铵溶液。

8.如权利要求7所述的基于紫外线的清洗装置，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵溶液中四甲基氢氧化铵的质量浓度为0.4%-2.38%。

9.如权利要求5所述的基于紫外线的清洗装置，其特征在于，所述吹风装置（70）为风刀。

10.如权利要求5所述的基于紫外线的清洗装置，其特征在于，所述烘干装置（80）为热板。