[发明专利]存储器及包含存储器的存储系统

说明书

相关申请的交叉引用

本申请主张2012年8月31日申请的韩国专利申请第10-2012-0096580号的优先权，其以全文引用方式并入本文中。

技术领域

本发明的例示性实施例涉及种存储器及包括存储器的存储系统，其中所述存储器可防止因存储器单元中的字线干扰而引起的所储存数据的恶化。

背景技术

随着存储器集成度的增大，包括于存储器中的多条字线之间的间隔得以减小。由于字线之间的间隔减小，故邻近字线之间的耦合效应增加。

每当数据被输入至存储器单元及自存储器单元输出时，字线在激活（有效）状态与去激活（无效）状态之间切换。就此而言，由于邻近字线之间的耦合效应如上所述地增加，所以与邻近于频繁被激活的字线的字线相连接的存储器单元发生数据受损的现象。此现象被称作字线干扰。因字线干扰，可能出现担忧，存储器单元的数据可能在存储器单元被刷新之前受损。

图1为说明字线干扰及说明包括于存储器中的存储器单元阵列的部分的图。

在图1中，‘WLL’指示具有大量激活次数的字线，且‘WLL-1’及‘WLL+1’指示邻近于‘WLL’的字线，亦即，与具有大量激活次数的字线相邻的字线。此外，‘CL’指示连接至字线‘WLL’的存储器单元，‘CL-1’指示连接至字线‘WLL-1’的存储器单元，且‘CL+1’指示连接至字线‘WLL+1’的存储器单元。各个存储器单元‘CL’、‘CL-1’及‘CL+1’包括单元晶体管TL、TL-1及TL+1，及单元电容器CAPL、CAPL-1及CAPL+1。

在图1中，当字线‘WLL’被激活或去激活时，字线‘WLL-1’及‘WLL+1’的电压由于字线‘WLL’、‘WLL-1’及‘WLL+1’之间发生的耦合效应而增大或减小，且对单元电容器CAPL-1及CAPL+1的电荷量产生影响。因此，字线‘WLL’在激活状态与去激活状态之间的频繁切换导致储存于包括于存储器单元‘CL-1’及‘CL+1’中的单元电容器CAPL-1及CAPL+1中的电荷量的变化增大，使得存储器单元‘CL-1’及‘CL+1’的数据可能恶化。

此外，由于字线在激活状态与去激活状态之间切换时所产生的电磁波向或从连接至邻近字线的存储器单元的单元电容器中引入或是释放电子，故数据可受损。

发明内容

各种实施例涉及存储器，其中邻近于具有等于或大于参考次数的激活次数的字线的多条字线被激活以刷新连接至邻近字线的多个存储器单元，藉此防止对连接至所述邻近字线的所述存储器单元的数据的字线干扰。

又，各种实施例涉及存储器，其中，即使当具有等于或大于参考次数的激活次数的字线是替代正常字线的冗余字线时，亦可能防止对连接至邻近于该冗余字线的字线的所述存储器单元的数据的字线干扰。

在一实施例中，一种存储器可包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；及控制电路，其被配置成：在第一模式中用第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号而激活邻近于第K冗余字线的至少一个邻近字线。

在一实施例中，一种存储器可包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；冗余控制区块，其被配置成：产生对应于第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用第一至第M冗余字线中的第K冗余字线（1≤K≤M）替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于第K冗余字线的第K冗余信号；邻近激活控制区块，其被配置成以在第一模式中用第K冗余字线替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下激活至少一个邻近控制信号；及字线控制区块，其被配置成：在第一模式中用第K冗余字线替代对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号、邻近控制信号及第K冗余信号而激活邻近于第K冗余字线的至少一个邻近字线。

在一实施例中，一种存储系统可包括：存储器，其包括第一至第N字线及被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线的第一至第M冗余字线，且存储器被配置成在第一模式下中用第一至第M冗余字线中的第K冗余字线（1≤K≤M）替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下响应于激活信号而激活邻近于第K冗余字线的至少一个邻近字线；及存储器控制器，其被配置成以响应于计数第一至第N字线的激活次数的结果而在第一模式中将对应于第一至第N字线中的激活次数等于或大于参考次数的字线的地址输入至存储器。