[发明专利]喷淋头以及气相沉积反应腔无效
| 申请号: | 201310360284.0 | 申请日: | 2013-08-16 |
| 公开(公告)号: | CN103436859A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
| 发明(设计)人: | 谭华强;黄允文;乔徽;林翔;苏育家 | 申请(专利权)人: | 光垒光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
| 地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 喷淋 以及 沉积 反应 | ||
1.一种用于气相沉积的反应腔的喷淋头,所述反应腔包括气体反应区域,所述喷淋头邻近所述反应区域设置,所述喷淋头包括依次层叠设置的第一源气体腔、冷却腔和第二源气体腔,所述第二源气体腔邻近所述反应区域设置,所述第一源气体腔和所述第二源气体腔分别与所述反应区域连通,所述第一源气体腔和所述第二源气体腔分别用于向所述反应区域通入第一反应气体和第二反应气体;
其中,所述第一源气体腔与至少一第一气管连通,所述第一气管穿过所述冷却腔和所述第二源气体腔,并连通所述反应区域;
其特征在于:所述第一气管至少位于所述第二源气体腔内的部分的外壁设置有隔热层。
2.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于:至少所述第一气管从进入所述第二源气体腔至到达所述反应区的部分的外壁上设置有隔热层。
3.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于:所述隔热层包括套设在所述第一气管外的气体隔离管和所述气体隔离管内流通的冷却气体。
4.如权利要求3所述的喷淋头,其特征在于:所述冷却腔和所述第二源气体腔之间还设置有一冷却气体腔,所述冷却气体腔通有所述冷却气体,所述气体隔离管连通所述冷却气体腔和所述反应区域。
5.如权利要求3所述的喷淋头,其特征在于:所述第一源气体腔和所述冷却腔之间还设置有一冷却气体腔,所述冷却气体腔内通有所述冷却气体,所述气体隔离管穿过所述冷却腔和所述第二源气体腔,所述气体隔离管连通所述冷却气体腔和所述反应区域。
6.如权利要求3所述的喷淋头,其特征在于:所述冷却气体为不与所述第一反应气体和第二反应气体发生反应的气体。
7.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于:所述隔热层为包绕在所述第一气管外的隔热材料层。
8.如权利要求2-7中任意一项所述的喷淋头,其特征在于:所述第二源气体腔与所述反应区域之间的设置有出气孔,所述第二源气体腔与所述反应区域之间通过所述出气孔连通。
9.如权利要求8所述的喷淋头,其特征在于:所述出气孔的直径大于所述隔离管的直径,所述隔离管与所述第一气管穿过所述出气孔。
10.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于:所述第一反应气体的分解温度低于所述第二反应气体的分解温度。
11.如权利要求10所述的喷淋头,其特征在于:所述喷淋头为用于金属有机化合物化学气相沉积工艺的喷淋头,所述第一反应气体为III族源气体或II族源气体,所述第二反应气体为V族源气体。
12.如权利要求11所述的喷淋头,其特征在于:所述III族源气体为三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟中的一种或几种的组合,所述V族源气体为磷化氢、砷化氢或氨气中的一种或几种的组合。
13.一种气相沉积反应腔,其包括腔体、用于装载衬底的托盘和喷淋头,所述托盘设置于所述腔体的底部,所述喷淋头设置在所述腔体的顶部并与所述托盘相对设置,所述托盘与所述喷淋头之间限定气体反应区域,所述喷淋头用于向所述反应区域输出反应气体,其特征在于:所述喷淋头为如权利要求1-12中任意一项所述的喷淋头。
14.如权利要求13所述的气相沉积反应腔,其特征在于:在气相沉积工艺时,所述托盘的温度为700℃~1400℃。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





