[发明专利]NANDFLASH存储器自动循环存储的实现方法有效
| 申请号: | 201310353286.7 | 申请日: | 2013-08-14 |
| 公开(公告)号: | CN103399831A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
| 发明(设计)人: | 马文超;袁飞马;邓美欢;袁海峰;张玉新;饶佳莉;黄敏;赵广超;熊薇;熊琼 | 申请(专利权)人: | 江西航天海虹测控技术有限责任公司 |
| 主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F12/06 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 330024 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | nandflash 存储器 自动 循环 存储 实现 方法 | ||
1.一种NANDFLASH存储器,包括控制与数据处理模块、数据回放模块、大容量数据存储模块和实时时钟模块,其特征在于,所述控制与数据处理模块接收信号源和实时时钟模块的信号,并分别与所述数据回放模块、所述大容量数据存储模块信号连接,所述大容量数据存储模块与所述数据回放模块信号连接;
所述控制与数据处理模块完成接收信号源采集数据并组成64×32标准遥测帧格式数据,为大容量存储模块提供读、写及擦除时序;
所述大容量存储模块完成实时帧结构数据的存储;
所述数据回放模块完成接收和发送USB的串口命令;大容量存储器的数据的读取和擦除;USB数据的发送与接收;
所述实时时钟模块用于实时提供标准时间给帧结构。
2.一种如权利要求1所述的NANDFLASH存储器自动循环存储的实现方法,包括存储系统上电记录流程和存储系统数据回放读取流程, 其特征在于,所述存储系统上电记录流程,其工作步骤如下:
第一步:找到大容量存储模块系统初始块地址和片选地址,并作为该次上电记录的初始地址;
第二步:写该段数据头,将上电时间插入数据头内;
第三步:周期性接收数据并以标准遥测帧格式组帧,把该次上电记录的初始地址插入当前帧格式中;将数据写入大容量存储模块中,每执行一周期,页计数加一,如不满足64页,继续执行第三步;
第四步:当页计数满64时即写满一块,实时监测该块地址后的1000块地址里的数据是否为空,若不为空则擦出该块数据,以达到数据的循环存储和坏块实时检测功能;
所述存储系统数据回放读取流程,其工作步骤如下:
第一步:PC通过数据回放模块发送指令给控制与数据处理模块;
第二步:响应指令;
第三步:取出通过系统初始块地址往回找到的第一个好的满块地址的第一页数据,并取出该页数据里面含有的该数据段的初始块地址;
第四步:取出当前数据段初始块地址的第一页数据,取出该初始帧里面含有的当前数据段的上电记录时间;
第五步:从初始块地址再往回找第一个好的满块按步骤二、三、四找出倒数第二段的起始块地址、结束块地址、片选地址和上电记录时间,依此类推可得到整个存储器所有数据段的起始块地址、结束块地址、片选地址和上电记录时间,根据起始块地址、结束块地址、片选地址可计算出该数据段的数据大小,可达到数据段的可视化,及智能选段操作。
3.如权利要求2所述的NANDFLASH存储器自动循环存储的实现方法,其特征在于,所述响应指令是找到该NANDFLASH的第一个好的空块地址,该地址往回倒着找到的一个写满了数据的块地址。
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