[发明专利]晶圆级图像传感器封装结构和晶圆级图像传感器封装方法有效
| 申请号: | 201310338337.9 | 申请日: | 2013-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN103413815A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
| 发明(设计)人: | 邓辉;夏欢;赵立新;李文强 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶圆级 图像传感器 封装 结构 方法 | ||
1.一种晶圆级图像传感器封装结构,其特征在于,包括:
图像传感器芯片,所述图像传感器芯片具有功能面、感光结构和导电垫,所述感光结构和所述导电垫位于所述功能面上;
引线板,所述引线板包括:板体和引线;所述板体包括:下表面、开口、第一上表面和第二上表面;所述下表面固定在所述功能面上,所述开口暴露所述感光结构,所述第一上表面高于所述第二上表面,所述引线的顶端位于所述第一表面上,所述引线的底端位于所述第二上表面上;所述引线的底端通过金属线连接所述导电垫。
2.如权利要求1所述的晶圆级图像传感器封装结构,其特征在于,所述第二上表面位于所述第一上表面和所述开口之间,所述开口同时暴露所述导电垫;所述引线板还包括:透明基板,所述透明基板位于所述第二上表面上并覆盖所述开口。
3.如权利要求2所述的晶圆级图像传感器封装结构,其特征在于,所述板体还包括连接所述第一上表面和所述第二上表面的侧面,所述侧面与所述第二上表面的夹角为直角;部分所述引线位于所述板体内。
4.如权利要求2所述的晶圆级图像传感器封装结构,其特征在于,所述板体还包括连接所述第一上表面和所述第二上表面的侧面,所述侧面与所述第二上表面的夹角为钝角;部分所述引线位于所述侧面上。
5.如权利要求1所述的晶圆级图像传感器封装结构,其特征在于,所述下表面固定在所述感光结构和所述导电垫之间;所述金属线和至于部分所述第二表面被胶材覆盖;所述板体还包括第三上表面,所述第一上表面高于所述第三上表面;所述晶圆级图像传感器封装结构还包括:透明基板,所述透明基板位于所述第三上表面上并覆盖所述开口。
6.如权利要求5所述的晶圆级图像传感器封装结构,其特征在于,所述板体还包括连接所述第一上表面和所述第二上表面的侧面,所述侧面与所述第二上表面的夹角为直角;部分所述引线位于所述板体内。
7.如权利要求5所述的晶圆级图像传感器封装结构,其特征在于,所述板体还包括连接所述第一上表面和所述第二上表面的侧面,所述侧面与所述第二上表面的夹角为钝角;部分所述引线位于所述侧面上,至少部分所述引线同时被所述胶材覆盖。
8.如权利要求2或5所述的晶圆级图像传感器封装结构,其特征在于,所述透明基板与所述板体之间存在间隙。
9.如权利要求2或5所述的晶圆级图像传感器封装结构,其特征在于,所述透明基板的上表面和下表面的至少其中之一具有光学镀膜。
10.如权利要求9所述的晶圆级图像传感器封装结构,其特征在于,所述光学镀膜包括红外截止膜或者抗反射膜。
11.如权利要求1所述的晶圆级图像传感器封装结构,其特征在于,所述板体的材料包括陶瓷材料、有机材料、玻璃材料或者硅材料。
12.一种晶圆级图像传感器封装方法,其特征在于,包括:
提供晶圆,所述晶圆具有多个图像传感器芯片单元和位于所述图像传感器芯片单元之间的切割道,每个所述图像传感器芯片单元具有功能面、感光结构和导电垫,所述感光结构和所述导电垫位于所述功能面上;
提供引线板,所述引线板包括:板体和引线,所述板体包括:下表面、开口、第一上表面和第二上表面,所述第一上表面高于所述第二上表面,所述引线的顶端位于所述第一表面上,所述引线的底端位于所述第二上表面上;
将所述下表面粘合或键合在所述功能面上,使所述开口暴露所述感光结构;
用金属线将所述引线的底端与所述导电垫连接;
磨削所述的晶圆的背面;
沿所述切割道切割所述晶圆,形成单独的图像传感器芯片模组。
13.如权利要求12所述的晶圆级图像传感器封装方法,其特征在于,在将所述板体的下表面粘合或键合在所述功能面上时,使所述开口暴露所述导电垫;所述第二表面位于所述第一表面与所述开口之间,在用金属线将所述引线的底端与所述导电垫连接之后且在沿所述切割道切割所述晶圆之前,在所述第二表面上设置覆盖所述开口的透明基板。
14.如权利要求13所述的晶圆级图像传感器封装方法,其特征在于,所述板体还包括连接所述第一上表面和所述第二上表面的侧面,所述侧面与所述第二上表面的夹角为直角;部分所述引线位于所述板体内部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





