[发明专利]改善有源区损伤的方法有效
| 申请号： | 201310337067.X | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103441069A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 徐莹;周飞;周维;魏峥颖 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 有源 损伤 方法 | ||
1.一种改善有源区损伤的方法，应用于减小多晶硅栅极电性厚度的工艺中，其特征在于，
提供一设置有多晶硅层的硅衬底；
对所述多晶硅层进行预注入离子工艺后，沉积PETEOS氧化膜覆盖所述多晶硅层的表面；
以所述氧化膜为硬掩膜刻蚀所述多晶硅层，形成多晶硅栅极。
2.如权利要求1所述的改善有源区损伤的方法，其特征在于，所述硅衬底中设置有浅沟槽隔离结构和P阱区，所述浅沟槽隔离结构隔离相邻的两P阱区；
其中，所述多晶硅栅极位于所述P阱区的上方。
3.如权利要求1所述的改善有源区损伤的方法，其特征在于，所述硅衬底的表面覆盖有氧化绝缘层，且所述多晶硅膜层覆盖该氧化绝缘层的上表面。
4.如权利要求1所述的改善有源区损伤的方法，其特征在于，采用四乙氧基硅烷和氧气作为原料，于所述多晶硅层的上表面沉积形成所述PETEOS氧化膜。
5.如权利要求1所述的改善有源区损伤的方法，其特征在于，采用N型离子进行所述预注入离子工艺。
6.如权利要求5所述的改善有源区损伤的方法，其特征在于，所述N型离子为P或As离子。
7.如权利要求1所述的改善有源区损伤的方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备所述PETEOS氧化膜。
8.如权利要求7所述的改善有源区损伤的方法，其特征在于，在温度为350℃～450℃的工艺条件下，进行所述等离子体增强化学气相沉积工艺。
9.如权利要求7所述的改善有源区损伤的方法，其特征在于，在压力为10Torr的工艺条件下，进行所述等离子体增强化学气相沉积工艺。
10.如权利要求1所述的改善有源区损伤的方法，其特征在于，所述PETEOS氧化膜的厚度为。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
