[发明专利]一种用于湿法腐蚀晶片的装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种用于湿法腐蚀晶片的装置。

背景技术

湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触到的材料通过化学反应逐步侵蚀溶掉。湿法腐蚀的腐蚀速率快、工艺简单、成本低，腐蚀厚度可以达到整个硅片的厚度，具有较高的机械灵敏度，因此在微电子、微光学、微机械系统等领域都有十分广泛的应用。

目前主流的用于湿法腐蚀晶片的装置，都是采用花篮状装置盛装晶片，然后再把整个花篮状装置放入腐蚀液中进行腐蚀。图1是现有的用于湿法腐蚀晶片的花篮状装置结构示意图。如图1所示，通用的用于湿法腐蚀晶片的花篮状装置有两个相对设置的托架结构——第一托架1和第二托架2，其中第一托架1和第二托架2相对的那一侧的表面上分别设置有多个卡槽，并且这些卡槽一一对应。这样，需要腐蚀的晶片边缘就可以放在这些卡槽中，以确保晶片在腐蚀的过程中位置固定，并且在多个晶片同时腐蚀时不会互相碰撞，互相影响。

图2是晶片放置在现有的用于湿法腐蚀晶片的花篮状装置中的截面示意图。如图2所示，现有湿法腐蚀用的花篮边缘对晶片3的包裹性比较好，晶片3位于第一托架1和第二托架2中的面积比较多，导致腐蚀液体很难与晶片边缘位置进行充分接触并发生腐蚀反应，从而导致晶片的边缘腐蚀速率会有明显的降低，并且腐蚀后的晶片边缘与中间存在不均匀现象。

发明内容

本发明的目的在于提出一种用于湿法腐蚀晶片的装置，解决湿法腐蚀过程中晶片的边缘腐蚀速率低，并且腐蚀后晶片整体不均匀的技术问题。

本发明公开了一种用于湿法腐蚀晶片的装置，包括：

底部支撑结构，用于支撑所述晶片；

与所述底部支撑结构连接并且相对设置的两个侧面支撑结构；

第一横梁结构和第二横梁结构，其中所述第一横梁结构和第二横梁结构相对设置，用于连接所述两个侧面支撑结构；

分别设置在所述第一横梁结构和第二横梁结构上的第一固定装置和第二固定装置，所述第一固定装置和第二固定装置相互配合，用于固定所述晶片。

进一步地，所述第一横梁结构和所述第二横梁结构分别包括一个或多个间隔设置的横梁。

进一步地，所述第一横梁结构中的一个横梁以及与其对应的所述第二横梁结构中的一个横梁分别设置为使得所述第一固定装置与第二固定装置能够固定所述晶片的最远相对端。

进一步地，所述侧面支撑结构上设有开口结构。

进一步地，所述第一固定装置和第二固定装置分别包括多个凹槽。

进一步地，所述第一固定装置的多个凹槽与所述第二固定装置的多个凹槽一一对应。

进一步地，所述底部支撑结构上设置有多个凹槽，其中，所述底部支撑结构上的多个凹槽与所述第一固定装置上的多个凹槽和所述第二固定装置上的多个凹槽一一对应。

进一步地，所述底部支撑结构是底杆或底板。

进一步地，所述底杆与所述第一横梁结构和第二横梁结构平行设置。

进一步地，所述用于湿法腐蚀晶片的装置的材料是聚四氟乙烯。

本发明通过使用横梁结构代替传统的托架结构，减少了用于湿法腐蚀晶片的装置与晶片的接触面积，增加了腐蚀液体的流动性，从而解决了湿法腐蚀过程中晶片的边缘腐蚀速率低的问题，改善了腐蚀后晶片的片内均匀性。

附图说明

图1是现有的用于湿法腐蚀晶片的花篮状装置结构示意图。

图2是晶片放置在现有的用于湿法腐蚀晶片的花篮状装置中的截面示意图。

图3是本发明第一实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置结构示意图。

图4是本发明第一实施例中晶片放置在用于湿法腐蚀晶片的装置中的截面示意图。

图5是本发明第二实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置结构示意图。

图6是本发明第三实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部。

实施例一

图3是本发明第一实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置结构示意图。如图3所示，本实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置，包括：

底部支撑结构21，用于支撑所述晶片，所述底部支撑结构可以是底板，也可以是底杆。