[发明专利]一种用于湿法腐蚀晶片的装置在审
| 申请号： | 201310335757.1 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN104347387A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 孙其梁;徐振宇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C23F1/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 湿法 腐蚀 晶片 装置 | ||
1.一种用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，包括：
底部支撑结构，用于支撑所述晶片；
与所述底部支撑结构连接并且相对设置的两个侧面支撑结构；
第一横梁结构和第二横梁结构，其中所述第一横梁结构和第二横梁结构相对设置，用于连接所述两个侧面支撑结构；
分别设置在所述第一横梁结构和第二横梁结构上的第一固定装置和第二固定装置，所述第一固定装置和第二固定装置相互配合，用于固定所述晶片。
2.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，所述第一横梁结构和所述第二横梁结构分别包括一个或多个间隔设置的横梁。
3.如权利要求2所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，所述第一横梁结构中的一个横梁以及与其对应的所述第二横梁结构中的一个横梁分别设置为使得所述第一固定装置与第二固定装置能够固定所述晶片的最远相对端。
4.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，所述侧面支撑结构上设有开口结构。
5.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，所述第一固定装置和第二固定装置分别包括多个凹槽。
6.如权利要求5所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，所述第一固定装置的多个凹槽与所述第二固定装置的多个凹槽一一对应。
7.如权利要求6所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，所述底部支撑结构上设置有多个凹槽，其中，所述底部支撑结构上的多个凹槽与所述第一固定装置上的多个凹槽和所述第二固定装置上的多个凹槽一一对应。
8.如权利要求7所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，所述底部支撑结构是底杆或底板。
9.如权利要求8所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，所述底杆与所述第一横梁结构和第二横梁结构平行设置。
10.如权利要求1至9任一项所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，所述用于湿法腐蚀晶片的装置的材料是聚四氟乙烯。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
