[发明专利]一种改善栅氧击穿时漏电偏大的方法在审
| 申请号： | 201310325268.8 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347367A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 芮强;张硕;邓小社;王根毅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅;张莉 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 击穿 漏电 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善栅氧击穿时漏电偏大的方法，其特征在于，按顺序对器件进行如下工艺处理步骤：栅控器件的产品工艺完成后，利用紫外光对器件进行照射，紫外光照射条件为温度为20摄氏度～150摄氏度，时间为1min～60min，紫外光波长为190nm～400nm。
2.根据权利要求1所述的改善栅氧击穿时漏电偏大的方法，其特征在于：所述紫外光照射的参数为温度60摄氏度～120摄氏度，时间为10min～40min，紫外波长为190nm～320nm。
3.根据权利要求1所述的改善栅氧击穿时漏电偏大的方法，其特征在于：所述紫外光照射的参数为温度为70摄氏度～80摄氏度，时间为10min～20min，紫外波长为190nm～320nm。
4.根据权利要求1所述的改善栅氧击穿时漏电偏大的方法，其特征在于：对经过紫外光照射后的器件进行工艺测试，包括管芯与电路的测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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