[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 201310324013.X | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104347480A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构的制造方法，包括：
提供前端结构，所述前端结构至少包括金属互连线及覆盖所述金属互连线的第一氧化层；
依次形成一阻挡层和第二氧化层，所述阻挡层覆盖所述前端结构；所述第二氧化层覆盖所述阻挡层；
刻蚀所述第二氧化层、阻挡层和第一氧化层形成开口，以形成图案化的前端结构，暴露出每条所述金属互连线的一部分；
形成刀片电极层，所述刀片电极层与所述金属互连线相连接；
填充第三氧化层并去除位于所述阻挡层之上的各层结构，形成刀片电极。
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述开口暴露出相邻的且排序为奇数和偶数的金属互连线的各一部分及位于所述相邻的金属互连线之间的第一氧化层。
3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成刀片电极层的步骤包括：
沉积一层第一电极层，所述第一电极层覆盖所述第三氧化层及所述开口的侧壁和底壁；
沉积抗反射氧化层，所述抗反射氧化层覆盖所述第一电极层；
去除位于所述相邻的金属互连线之间的第一氧化层上的第一电极层以形成所述刀片电极层。
4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一电极层的厚度小于等于15nm，所述抗反射氧化层的厚度为
5.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述阻挡层、第二氧化层、第一电极层、抗反射氧化层及第三氧化层的工艺为CVD工艺。
6.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一电极层的工艺为MOCVD工艺。
7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化硅，所述阻挡层的厚度为
8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述暴露出的金属互连线的表面积占所述金属互连线总表面积的一半。
9.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述开口在侧壁的宽度等于所述金属互连线的直径。
10.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺去除所述阻挡层之上的各层结构。
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