[发明专利]一种基于一维微纳米材料薄膜结构的应力写入型数据存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310321529.9 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN103427020A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 程抱昌;欧阳志勇 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 一维微 纳米 材料 薄膜 结构 应力 写入 数据 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于一维微纳米材料薄膜结构的应力写入型数据存储器件，其特征是包括聚合物基底（1）、一维微纳米材料薄膜（2）、金属电极（3）、导线（4）、聚合物封装层（5）；一维微纳米材料薄膜（2）放置在聚合物基底（1）上，其两端焊接金属电极（3），金属电极（3）焊接导线（4），聚合物封装层（5）将整个微纳米材料薄膜结构封装在聚合物基底（1）上；
所述的聚合物基底、聚合物封装层的聚合物为聚二甲基硅氧烷；
所述的一维微纳米材料薄膜为氧化锌、硫化锌、二氧化锡、三氧化二铟或碳纳米管中的一种；
所述的金属电极为银、金或铂；
所述的封装层采用聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯作为封装材料。
2.根据权利要求1所述的数据存储器件，其特征是聚合物基底（1）厚度为3-5 mm；一维微纳米材料薄膜结构（2）厚度为0.1-0.2 mm；聚合物封装层（5）厚度为1-2 mm。
3.权利要求1所述的数据存储器件的制备方法，其特征是在模具中加入聚合物基底（1），洁净大气环境下室温固化24 h；将所制一维微纳米材料薄膜（2）置于聚合物基底（1）上，在一维微纳米材料薄膜两端制备电极（3），在洁净的大气环境中放置3-5 h；在电极（3）两端焊接铜丝作为导线（4），在洁净的大气环境下放置3-5 h；将聚合物封装层（5）缓慢的涂覆在一维微纳米材料薄膜（2）及电极（3）上，在洁净的大气环境中放置24 h。
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