[发明专利]埋多晶指内透明集电区绝缘栅双极晶体管及制造方法

权利要求书

1.埋多晶指内透明集电区绝缘栅双极晶体管制造方法，其特征在于，局域寿命控制层为多晶指-单晶指交替分布的埋多晶硅层，包括以下步骤工艺：

1)在电阻率为0.001－0.02Ωcm的（100）晶向单晶硅P+衬底生长薄介质层，介质层是二氧化硅，厚度在2000埃-2500埃范围，或者氮化硅，厚度在100埃-200埃范围；

2)进行一次光刻刻蚀工艺，形成均匀分布的介质层条纹，介质条纹的宽度控制在1μm-2μm，间距在0.5μm-1μm之间；

3)多晶硅-单晶硅同步外延形成多晶指-单晶指交替分布结构，外延过程包括：A.去除步骤2）介质条纹间单晶硅P+衬底表面的自然氧化层，露出新鲜生长界面；此工艺过程对氮化硅介质条纹厚度影响很少，对采用二氧化硅做介质条纹的结构，条纹厚度会变薄，最终剩余二氧化硅介质条纹厚度在100A埃300埃范围；B.正式同步外延，同步外延过程中通腐蚀气体H₂或HCl，腐蚀气体流量与源气体流量之比为0.001－0.02，同步外延过程中，介质条纹上生长多晶硅，而介质条间单晶硅上生长单晶硅，单晶生长优势超越多晶硅生长，单晶硅逐渐变宽，多晶硅逐渐变窄，直至单晶硅条完全横向侵并多晶硅条，形成多晶指-单晶指交替分布结构，同步外延过程为掺磷外延，磷掺杂浓度控制在1×10¹⁸-5×10¹⁸cm^-3；

4）与同步外延工艺同工序进行外延缓冲层和漂移区耐压层，此工艺在实际操作中与同步外延工艺同工序进行；最后完成正面MOS结构、背面多层电极的制备。

2.按照权利要求1的方法，其特征在于，埋多晶指高度亦即同步外延的厚度为1μm-2μm。

3.按照权利要求1-2的任一方法制备得到的埋多晶指内透明集电区绝缘栅双极晶体管。

4.按照权利要求1-3的任一方法制备得到的埋多晶指内透明集电区绝缘栅双极晶体管，最终集电结位置距多晶硅层顶部的距离为1-2微米。