[发明专利]半导体器件及其制造方法在审

申请号：	201310314310.6	申请日：	2013-07-24
公开（公告）号：	CN104051256A	公开（公告）日：	2014-09-17
发明（设计）人：	宋述仁;苏怡年	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/3105	分类号：	H01L21/3105;H01L21/3213
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409	代理人：	章社杲;孙征
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	半导体器件及其制造方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在工件上方形成蚀刻停止层，所述蚀刻停止层相对于所述工件的材料层具有大于约4至约30的蚀刻选择比；

在所述蚀刻停止层上方形成绝缘材料层；以及

将所述蚀刻停止层用作为蚀刻停止对所述绝缘材料层进行图案化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述绝缘材料层包括形成第二绝缘材料层，所述工件包括靠近其顶面设置的第一绝缘材料层，所述第一绝缘材料层包括形成在其中的多个导电部件，并且对所述绝缘材料层进行图案化包括在所述多个导电部件中的一个上方形成图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述蚀刻停止层包括形成第一蚀刻停止层，其中，所述方法还包括在所述第一蚀刻停止层上方形成第二蚀刻停止层，所述第二蚀刻停止层相对于所述工件的材料层具有大约4或更小的蚀刻选择比。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述蚀刻停止层包括形成第一蚀刻停止层，形成所述绝缘材料层包括形成第三绝缘材料层，其中所述工件包括靠近其顶面设置的第一绝缘材料层，所述第一绝缘材料层包括形成于其中的多个导电部件，其中，所述方法还包括在所述第一绝缘材料层和形成于其中的所述多个导电部件上方形成第二蚀刻停止层，以及在所述第二蚀刻停止层上方形成第二绝缘材料层，并且形成所述第一蚀刻停止层包括在所述第二绝缘材料层上方形成所述第一蚀刻停止层。

5.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在工件上方形成第一绝缘材料层；

在所述第一绝缘材料层上方形成第一蚀刻停止层，所述第一蚀刻停止层相对于所述第一绝缘材料层具有第一蚀刻选择比；

在所述第一绝缘材料层上方形成第二蚀刻停止层，所述第二蚀刻停止层相对于所述第一绝缘材料层具有第二蚀刻选择比，所述第一蚀刻选择比与所述第二蚀刻选择比不同；

在所述第二蚀刻停止层上方形成第二绝缘材料层；以及

将所述第一蚀刻停止层用作为蚀刻停止对第二绝缘材料层进行图案化。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述方法包括首先形成所述第一蚀刻停止层，然后形成形成所述第二蚀刻停止层；或者，所述方法包括首先形成所述第二蚀刻停止层，然后形成所述第一蚀刻停止层。

7.一种半导体器件，包括：

设置在工件上方的第一绝缘材料层；

设置在所述第一绝缘材料层上方的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层相对于所述第一绝缘材料层具有大于约4至约30的蚀刻选择比；

设置在所述蚀刻停止层上方的第二绝缘材料层；以及

设置在所述第二绝缘材料层中的多个导电部件，其中设置在所述第二绝缘材料层中的所述多个导电部件中的一个的底部区域靠近所述第一绝缘材料层的顶面设置。