[发明专利]一种用于APF大功率IGBT的短路保护电路

权利要求书

1.一种用于APF大功率IGBT的短路保护电路，其特征是，包括

IGBT的工作控制电路，利用PWM信号控制IGBT的工作与否；

IGBT的短路保护电路，用于监测IGBT短路电流，并在PWM信号控制下在短路时利用缓慢降低栅极电压电路防止IGBT短路引起过电压而损坏IGBT。

2.如权利要求1所述的一种用于APF大功率IGBT的短路保护电路，其特征是，所述IGBT的短路保护电路包括：

短路保护电路的工作控制电路，用于控制短路保护电路的工作与否；

短路保护电路的检测电路，用于对IGBT的短路电流进行检测；

缓慢降低栅极电压电路，用于缓慢降低栅极电压；

保护锁存复位电路，用于对缓慢降压的状态进行保护锁定，直至完全关断IGBT。

3.如权利要求2所述的一种用于APF大功率IGBT的短路保护电路，其特征是，所述IGBT的工作控制电路包括IGBT正常开通部分和IGBT正常关断控制部分；

所述IGBT正常开通部分包括2N5401三极管Q10、MJD44H11三极管Q5、栅极驱动电阻RG；所述MJD44H11三极管Q5的基极接PWM驱动装置，所述MJD44H11三极管Q5的集电极接+15V TOP，所述MJD44H11三极管Q5的发射极通过栅极驱动电阻RG接IGBT的基极，所述IGBT的集电极接电源VCE，所述IGBT的发射极接地POWERGND。

4.如权利要求3所述的一种用于APF大功率IGBT的短路保护电路，其特征是，所述IGBT正常关断控制部分包括2N5401三极管Q10、MJD45H11三极管Q8、栅极驱动电阻RG；所述MJD45H11三极管Q8的基极接PWM驱动装置，所述MJD45H11三极管Q8的集电极接-5VTOP，所述MJD45H11三极管Q8的发射极通过栅极驱动电阻RG接IGBT的基极，所述IGBT的集电极接电源VCE，所述IGBT的发射极接地POWERGND。

5.如权利要求2所述的一种用于APF大功率IGBT的短路保护电路，其特征是，所述短路保护电路的工作控制电路，包括2N5401三极管Q10，所述2N5401三极管Q10的基极接PWM驱动装置，所述2N5401三极管Q10的集电极接地，所述2N5401三极管Q10的发射极通过电阻R12接+15V TOP。

6.如权利要求2所述的一种用于APF大功率IGBT的短路保护电路，其特征是，所述短路保护电路的检测电路，包括BY203/20S二极管D2、稳压二极管DV2、电容C5和电阻R12，所述BY203/20S二极管D2的负极接IGBT的集电极，所述BY203/20S二极管D2的正极通过电阻R12接+15V TOP，所述BY203/20S二极管D2的正极还通过电容C5接地，所述BY203/20S二极管D2的正极还与稳压二极管DV2的负极连接，所述稳压二极管DV2的正极接缓慢降低栅极电压电路。

7.如权利要求2所述的一种用于APF大功率IGBT的短路保护电路，其特征是，所述缓慢降低栅极电压电路，包括2N3904三极管Q9、TP521-1光电耦合器U1、电阻R17、电阻R14、电容C4、IN4148二极管D3、PBSS3540M三极管Q6、电阻R26，所述2N3904三极管Q9的基极连接到所述稳压二极管DV2的正极，所述2N3904三极管Q9的发射极接地，所述2N3904三极管Q9的基地集电极接TP521-1光电耦合器U1的第2管脚，所述TP521-1光电耦合器U1的第3管脚接地，所述TP521-1光电耦合器U1的第1管脚接电阻R17，所述TP521-1光电耦合器U1的第4管脚接保护锁存复位电路，所述电阻R17通过电阻R14接+15V TOP，所述电阻R14还与电容C4并联，所述电阻R14还与IN4148二极管D3并联，所述IN4148二极管D3的负极连接到+15V TOP，所述IN4148二极管D3的正极连接到PBSS3540M三极管Q6的基极，所述PBSS3540M三极管Q6的集电极接地，所述PBSS3540M三极管Q6的发射极通过电阻R26接MJD44H11三极管Q5的发射极和MJD45H11三极管Q8的发射极。