[发明专利]一种LED芯片的切割方法

权利要求书

1.一种LED芯片切割方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）准备芯片：所述芯片包括在衬底上生长的外延层，然后通过晶圆键合把外延层转移至另一个衬底，剥离掉原有衬底，外延层面为芯片正面；

（2）激光划片：在所述芯片背面用激光划出深10-40μm、宽11±2μm的划痕；

（3）背切：用金刚石锯片刀沿划痕锯片；

（4）正切：将背切后的芯片翻转倒膜，用锯片在芯片正面沿沟槽切割，形成晶粒。

2.根据权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于所述外延层的材料包括但不限于下列材料中的一种：GaN、InGaN、GaAS、GaP、InP、InGaAlN、AlGaInP、InGaAlAs、GaAlPAs。

3.根据权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于所述锯片刀的形状为左右对称的等腰倒三角形，刀侧面与水平线的夹角为30°～60°。

4.根据权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于所述锯片刀的刀高为220±2μm，刀宽为25±4μm。

5.根据权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于所述锯片刀的刀速为15-50mm/s。

6.根据权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于所述背切的切割深度为芯片1/4-1/5厚度。

7.根据权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于所述正切的切割深度为芯片4/5-5/6厚度。