[发明专利]等离子体刻蚀方法

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀方法，包括步骤：

提供半导体基底，所述半导体基底表面覆盖有图形化的光阻材料层；

将所述半导体基底置于等离子体刻蚀腔室内，所述等离子体刻蚀腔室内包括表面覆盖有氧化钇的喷淋头；

其特征在于：

以所述图形化的光阻材料层为掩膜，对包括碳氟化合物气体、含N气体在内的刻蚀气体等离子化，对半导体基底进行刻蚀；其中所述碳氟化合物气体为主刻蚀气体；对半导体基底进行刻蚀的过程中，源功率为500～1500W，偏置功率为1000～2000W，等离子体刻蚀腔室的腔体压力为20～80mT。

2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述含N气体为N₂、N₂O、NO、N₂O₃、NO₂中任意一种或任意几种的混合气体。

3.根据权利要求2所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述含N气体的流量为100～400sccm。

4.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟化合物气体为CF₄、C₄F₈、C₄F₆、C₂F₆中任意一种或任意几种的混合气体。

5.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括Ar或O₂或二者的混合气体。

6.根据权利要求5所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体为C₄F₈、O₂、Ar、N₂的混合气体。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述半导体基底待刻蚀介质为硅、锗、硅锗、二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中任意一种或几种的叠层结构。

8.根据权利要求7所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述半导体基底和光阻材料层之间还包括未图形化的硬掩膜层，对所述硬掩膜层进行等离子体刻蚀所采用的刻蚀气体为碳氟化合物气体、含氮气体的混合气体。

9.根据权利要求8所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，对所述硬掩膜层进行刻蚀的过程中，源功率为500～1200W，偏置功率为0～500W，等离子体刻蚀腔室的腔体压力为60～200mT。

10.根据权利要求8所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述半导体基底和硬掩膜层之间还包括未图形化的有机抗反射层，对所述有机抗反射层进行等离子体刻蚀所采用的刻蚀气体为包括O₂和COS的混合气体。

11.根据权利要求10所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述半导体基底待刻蚀介质为二氧化硅，对所述半导体基底进行等离子体刻蚀所采用的刻蚀气体为碳氟化合物气体、氮氧化合物气体的混合气体，且所述碳氟化合物气体和氮氧化合物气体的气体流量比为1:2～1:5。

12.根据权利要求10所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述半导体基底待刻蚀介质为二氧化硅，对所述半导体基底进行等离子体刻蚀所采用的刻蚀气体为碳氟化合物气体、O₂、N₂的混合气体，且所述碳氟化合物气体、O₂、N₂的气体流量比为1:0.5:2～1:1:3。