[发明专利]一种绒面结构ZnO-TCO薄膜的制备方法及其应用无效
| 申请号： | 201310294317.6 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103413869A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 陈新亮;张晓丹;赵颖;赵慧旭;杨旭;倪牮;张德坤;魏长春;张建军;耿新华 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/076 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 zno tco 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种绒面结构ZnO-TCO薄膜的制备方法，其特征在于：所述绒面结构ZnO-TCO薄膜的结构特征为玻璃/低掺杂型绒面结构ZnO:B/超薄ITO薄膜/高导电透明ZnO:B薄膜，制备步骤如下：
1）以玻璃为衬底，以纯度为99.995%的二乙基锌和水为原料，以氢稀释浓度为1.0%的硼烷B2H6作为掺杂气体，利用MOCVD技术，生长玻璃/低掺杂型绒面结构ZnO:B透明导电薄膜，薄膜厚度为1000-1800nm，利用MOCVD技术的工艺参数：基片衬底温度为135-165℃，B2H6掺杂气体流量为二乙基锌流量的0.1-1.0%，反应压力为1.0 Torr，生长速率为20-100 nm/min；
2）以纯度为99.99%的In-Sn合金为原料，In-Sn合金中Sn掺杂的重量百分比含量为6.0-10.0%，以纯度为99.99%的O2气作为反应气体，利用热蒸发技术在上述获得的玻璃/低掺杂型绒面结构ZnO:B透明导电薄膜上生长超薄Sn掺杂薄膜，薄膜厚度为2-15nm，利用热蒸发技术的工艺参数：衬底温度为235-350℃，蒸发电压为5V，蒸发电流为200A，蒸发速率为0.01nm/s，O2分压为1.5-2.5×10-1Pa；
3）以纯度为99.995%二乙基锌和水为原料，氢稀释浓度为1.0%的硼烷B2H6作为掺杂气体，利用MOCVD技术在上述玻璃/低掺杂型绒面结构ZnO:B/超薄ITO薄膜上生长小晶粒尺寸高电导ZnO:B透明导电薄膜，薄膜厚度50-300nm，利用MOCVD技术的工艺参数：衬底温度为135-165℃，B2H6掺杂气体流量为二乙基锌流量的1.0%，反应压力为1.0 Torr，生长速率为20-100 nm/min。
2.一种权利要求1所制备的绒面结构ZnO-TCO薄膜的应用，其特征在于：用于pin型Si基叠层薄膜太阳电池。
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