[发明专利]一种检测汞离子的传感芯片方法有效

专利信息
申请号: 201310293771.X 申请日: 2013-07-15
公开(公告)号: CN103344683A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 曹忠;曹婷婷;吴玲;肖忠良;黄大凯;宋天铭 申请(专利权)人: 长沙理工大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410004 湖南省长沙市雨花区万家*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 检测 离子 传感 芯片 方法
【权利要求书】:

1.一种检测汞离子的传感芯片,其特征是:该传感芯片包括一个11-巯基十一烷酸膜层(16)修饰的金膜基片(1),该金膜基片(1)的金层一角与外包有塑料绝缘层(3)的金属丝导线(2)相连接,连接处用环氧树脂胶(4)包裹密封。

2.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金膜基片(1)是在抛光的氮化硅基板(11)上逐步溅射沉积SiO2膜层(12)、金属钛膜层(13)、铜锡合金膜层(14)、金膜层(15),金膜层(15)经化学清洗处理后再在其表面上组装修饰11-巯基十一烷酸膜层(16)。

3.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金膜基片(1)的形状为正方形,其边长为6~12mm。

4.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金属丝导线(2)的材料为铜丝、铝丝或银丝。

5.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:在抛光的氮化硅基板(11)上逐步溅射沉积的SiO2膜层(12)的厚度为80~380nm,金属钛膜层(13)的厚度为20—80nm,铜锡合金膜层(14)的厚度为80~380nm。

6.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:铜锡合金膜层(14)经抛光处理后,在其表面上所沉积金膜层(15)的厚度为120~400nm。

7.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:金膜层(15)经化学清洗处理后,在其表面上所组装修饰11-巯基十一烷酸膜层(16)的量为5~50μg。

8.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征在于11-巯基十一烷酸膜层(16)的组装修饰方法,即先将传感芯片金膜基片(1)的金膜层(15)表面用二次蒸馏水清洗,依次在二次蒸馏水、无水乙醇中超声清洗各1~10分钟,然后取出浸入1.0~100mmol/L的11-巯基十一烷酸/乙醇溶液中,于4℃冰箱中自组装2~48小时,取出干燥,得11-巯基十一烷酸膜层(16)修饰的传感芯片,不用时置于去离子水中于4°C冰箱密封保存。

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