[发明专利]一种检测汞离子的传感芯片方法有效
| 申请号: | 201310293771.X | 申请日: | 2013-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN103344683A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
| 发明(设计)人: | 曹忠;曹婷婷;吴玲;肖忠良;黄大凯;宋天铭 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
| 主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26;G01N27/30 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 410004 湖南省长沙市雨花区万家*** | 国省代码: | 湖南;43 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 检测 离子 传感 芯片 方法 | ||
1.一种检测汞离子的传感芯片,其特征是:该传感芯片包括一个11-巯基十一烷酸膜层(16)修饰的金膜基片(1),该金膜基片(1)的金层一角与外包有塑料绝缘层(3)的金属丝导线(2)相连接,连接处用环氧树脂胶(4)包裹密封。
2.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金膜基片(1)是在抛光的氮化硅基板(11)上逐步溅射沉积SiO2膜层(12)、金属钛膜层(13)、铜锡合金膜层(14)、金膜层(15),金膜层(15)经化学清洗处理后再在其表面上组装修饰11-巯基十一烷酸膜层(16)。
3.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金膜基片(1)的形状为正方形,其边长为6~12mm。
4.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金属丝导线(2)的材料为铜丝、铝丝或银丝。
5.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:在抛光的氮化硅基板(11)上逐步溅射沉积的SiO2膜层(12)的厚度为80~380nm,金属钛膜层(13)的厚度为20—80nm,铜锡合金膜层(14)的厚度为80~380nm。
6.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:铜锡合金膜层(14)经抛光处理后,在其表面上所沉积金膜层(15)的厚度为120~400nm。
7.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:金膜层(15)经化学清洗处理后,在其表面上所组装修饰11-巯基十一烷酸膜层(16)的量为5~50μg。
8.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征在于11-巯基十一烷酸膜层(16)的组装修饰方法,即先将传感芯片金膜基片(1)的金膜层(15)表面用二次蒸馏水清洗,依次在二次蒸馏水、无水乙醇中超声清洗各1~10分钟,然后取出浸入1.0~100mmol/L的11-巯基十一烷酸/乙醇溶液中,于4℃冰箱中自组装2~48小时,取出干燥,得11-巯基十一烷酸膜层(16)修饰的传感芯片,不用时置于去离子水中于4°C冰箱密封保存。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙理工大学,未经长沙理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310293771.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





