[发明专利]动态随机存取存储器及制造方法、半导体封装件及封装方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，包括：

提供存储器晶圆，所述存储器晶圆上形成有存储器裸片，所述存储器裸片上形成有顶层金属层，所述顶层金属层上形成有电源焊盘、信号焊盘和微焊盘，引出所述存储器裸片的内部总线与所述微焊盘电相连；

对所述存储器晶圆进行修复；

修复后，若所述存储器晶圆的良品率大于等于预定阈值，则对所述微焊盘进行重新排布，形成对接焊盘，所述对接焊盘与所述微焊盘、所述电源焊盘电相连。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，所述预设阈值为70%～90%。

3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，所述存储器裸片包括多组内部总线，所述内部总线包括：数据总线和控制总线，所述内部总线与所述存储器裸片中的一组或多组存储阵列相对应。

4.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，所述内部总线的数据宽度大于等于64比特。

5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，所述对接焊盘的面积大于所述微焊盘的面积。

6.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，所述对接焊盘的数量大于等于所述微焊盘和所述电源焊盘的数量之和。

7.根据权利要求6所述的动态随机存取存储器制造方法，每个微焊盘与至少一个对接焊盘相连。

8.根据权利要求6所述的动态随机存取存储器制造方法，每个电源焊盘与至少一个对接焊盘相连。

9.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，所述对所述微焊盘进行重新排布，形成对接焊盘包括：

在所述存储器晶圆上形成至少一层金属层；

在顶层的金属层上形成对接焊盘，所述对接焊盘的数量和位置与逻辑芯片的对接焊盘的数量和位置相适应；

将所述对接焊盘与所述微焊盘、所述电源焊盘电相连。

10.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，还包括：关闭所述存储器裸片的物理接口逻辑、串并转换逻辑、模式寄存器、延迟锁相环中的一种或多种。

11.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，还包括：在所述存储器晶圆的划片槽中形成测试逻辑芯片，所述测试逻辑芯片与所述对接焊盘相连。

12.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，还包括：

若所述存储器晶圆的良品率小于预定阈值，则分割所述存储器晶圆，获得所述存储器裸片并封装。

13.一种动态随机存取存储器，所述动态随机存取存储器形成于存储器晶圆上，其特征在于，包括：

存储器裸片，所述存储器裸片包括多组存储阵列以及多组内部总线，所述内部总线与一组或多组存储阵列相对应；

位于所述存储器裸片之上的电源焊盘、信号焊盘、微焊盘；

位于所述电源焊盘、微焊盘之上的对接焊盘；

其中，所述对接焊盘与所述电源焊盘、微焊盘相连，所述内部总线与所述微焊盘相连。

14.根据权利要求13所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述存储器的良品率大于等于预定阈值。

15.根据权利要求14所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述预定阈值为70%～90%。

16.根据权利要求13所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述内部总线的数据宽度大于等于64比特。

17.根据权利要求13所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述对接焊盘的面积大于所述微焊盘的面积。

18.根据权利要求13所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述对接焊盘的数量大于等于所述微焊盘和所述电源焊盘的数量之和。

19.根据权利要求18所述的动态随机存取存储器，其特征在于，每个微焊盘与至少一个对接焊盘相连。

20.根据权利要求18所述的动态随机存取存储器，其特征在于，每个电源焊盘与至少一个对接焊盘相连。