[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201310286566.0 | 申请日: | 2013-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN103779384A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
| 发明(设计)人: | 崔元奎 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;姚志远 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
衬底;
位于所述衬底上的多个薄膜晶体管,其中所述多个薄膜晶体管中的每一个包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极;
多个第一电极,分别电连接至所述多个薄膜晶体管并位于与所述多个薄膜晶体管相对应的各个像素上;
多个有机层,分别位于所述第一电极上并包括发光层;
辅助电极,所述辅助电极中的每一个位于所述多个有机层中的相邻有机层之间的至少一部分上;以及
第二电极,面对所述多个第一电极并覆盖所述有机层和所述辅助电极。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,位于所述衬底上的所述多个有机层中的至少一个具有线性图案。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述辅助电极均具有线性图案。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括位于所述多个第一电极中的相邻第一电极之间的像素限定层,其中,所述辅助电极位于所述像素限定层上。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述衬底上的所述多个有机层中的远离沉积区域中心的至少一个有机层的顶边与底边之间的斜边的长度大于所述多个有机层中的更接所述近沉积区域中心的的其他有机层的相应顶边与底边之间的斜边的长度。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,所述衬底具有40英寸或更大的尺寸。
7.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,所述多个有机层具有非均匀的厚度。
8.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,在所述多个有机层中的远离所述沉积区域中心的每个有机层中,更远离所述沉积区域中心的斜边大于其他斜边。
9.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,当所述沉积区域中的所述多个有机层被定位成更远离所述沉积区域中心时,以第一方向延伸的两侧的重叠区域变窄。
10.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,位于所述沉积区域中心的有机层的斜边具有相同的长度。
11.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,所述沉积区域中的所述多个有机层围绕所述沉积区域中心对称地布置。
12.一种有机发光显示装置,包括:
衬底;
位于所述衬底上的多个薄膜晶体管,其中所述多个薄膜晶体管中的每一个包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极;
多个第一电极,分别电连接至所述多个薄膜晶体管并位于与所述多个薄膜晶体管相对应的各个像素上;
多个有机层,分别位于所述第一电极上并包括发光层;
第二电极,面对所述多个第一电极并覆盖所述有机层;以及
辅助电极,位于所述第二电极上,所述辅助电极中的每一个位于所述多个有机层中的相邻有机层之间的至少一部分上。
13.如权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,位于所述衬底上的所述多个有机层中的至少一个具有线性图案。
14.如权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,所述辅助电极均具有线性图案。
15.如权利要求12所述的有机发光显示装置,还包括位于所述多个第一电极中的相邻第一电极之间的像素限定层,其中,所述辅助电极位于所述像素限定层上。
16.如权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,所述衬底上的所述多个有机层中的远离沉积区域中心的至少一个有机层的顶边与底边之间的斜边的长度大于所述多个有机层中的更接近所述沉积区域中心的其他有机层的相应顶边与底边之间的斜边的长度。
17.如权利要求16所述的有机发光显示装置,其中,所述衬底具有40英寸或更大的尺寸。
18.如权利要求16所述的有机发光显示装置,其中,所述多个有机层具有非均匀的厚度。
19.如权利要求16所述的有机发光显示装置,其中,在所述多个有机层中的远离所述沉积区域中心的每个有机层中,更远离所述沉积区域中心的斜边大于其他斜边。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





