[发明专利]集成电路中可靠性分析的测试结构及其测试方法

权利要求书

1.一种集成电路中可靠性分析的测试结构，包括：第一层结构、第二层结构以及通孔结构，所述通孔结构用于连接所述第一层结构和第二层结构，所述第一层结构包括第一电压测试端和第一电流测试端，所述第二层结构包括第二电压测试端、第二电流测试端、电阻结构以及第三电压测试端，其中，所述第一电压测试端和第一电流测试端连接所述通孔结构的一端，所述第二电压测试端连接所述通孔结构的另一端，所述电阻结构的一端连接所述通孔结构的另一端，所述电阻结构的另一端连接所述第三电压测试端和所述第二电流测试端。

2.如权利要求1所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述电阻结构为一层结构。

3.如权利要求2所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述电阻结构为条形结构或“弓”形结构。

4.如权利要求2所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述第一层结构为上层，所述第二层结构为下层；或者，所述第一层结构为下层，所述第二层结构为上层。

5.如权利要求2所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述电阻结构的长度大于等于10μm。

6.如权利要求2所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述第一层结构、第二层结构和通孔结构的材料均为金属。

7.如权利要求1所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述电阻结构为互连结构，所述互连结构包括至少两层互连线。

8.如权利要求7所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述第一层结构为上层，所述第二层结构为下层，所述互连结构的最底层的互连线连接所述第二电流测试端和所述第三电压测试端，所述互连结构的最顶层的互连线连接所述通孔结构的另一端。

9.如权利要求8所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述互连结构的至少一层的互连线的长度大于等于10μm。

10.如权利要求9所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述互连结构的最底层的互连线的材料为多晶硅。

11.如权利要求7所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述第一层结构为下层，所述第二层结构为上层，所述互连结构的最顶层的互连线连接所述第二电流测试端，所述互连结构的最底层的互连线连接所述通孔结构的另一端。

12.如权利要求11所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述互连结构的至少一层的互连线的长度大于等于10μm。

13.如权利要求11所述的集成电路中可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述电阻结构的材料为金属。

14.一种集成电路中可靠性分析的测试方法，包括：

提供一衬底，根据如权利要求1-13中任意一项所述的测试结构在所述衬底上形成实际待测试结构；

所述第一电压测试端接一第一电压，所述第一电流测试端接一第一电流，所述第二电流测试端接低电压，以测量所述第二电压测试端的电压作为第二电压；

计算所述通孔结构的阻值，所述通孔结构的阻值R为：

其中，V1为第一电压，V2为第二电压，I为第一电流。