[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201310282070.6 | 申请日: | 2013-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN103715221B | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
| 发明(设计)人: | 辛慧媛;李东远;孙永睦 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;姚志远 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.有机发光显示装置,包括:
衬底,具有像素区和环绕所述像素区的非像素区;
第一电极,设置在所述像素区中的所述衬底上;
像素限定层,设置在所述非像素区中的所述衬底上;
第一疏水图案,设置在所述像素限定层上;
至少一个电荷传输层,设置在所述第一电极上;
第二疏水图案,设置在所述像素限定层上以覆盖所述第一疏水图案;
有机发光层,设置在所述至少一个电荷传输层上;以及
第二电极,设置在所述有机发光层上,
其中所述至少一个电荷传输层的一部分与所述像素限定层重叠,并且所述第二疏水图案覆盖所述至少一个电荷传输层的与所述像素限定层重叠的部分,并且所述至少一个电荷传输层不设置在所述第一疏水图案与所述第二疏水图案之间。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一疏水图案和所述第二疏水图案中的每一个均具有低于20dyne/cm的表面能量。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一疏水图案的电导率小于所述至少一个电荷传输层的电导率。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述像素限定层具有100nm到400nm的厚度。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述至少一个电荷传输层包括空穴传输层和空穴注入层。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述至少一个电荷传输层包括电子传输层和电子注入层。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一疏水图案和所述第二疏水图案不与所述第一电极重叠。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一疏水图案的厚度小于所述像素限定层的厚度,并且所述第二疏水图案的厚度大于所述像素限定层的厚度。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中所述第一疏水图案和所述第二疏水图案在第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中所述第一疏水图案在第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上延伸,并且所述第二疏水图案在所述第二方向上延伸。
11.制造有机发光显示装置的方法,包括:
在衬底上形成第一电极;
在所述衬底上形成与所述第一电极相邻的像素限定层;
在所述像素限定层上形成第一疏水图案;
在所述第一电极上形成至少一个电荷传输层且所述至少一个电荷传输层的一部分与所述像素限定层重叠;
在所述像素限定层上形成第二疏水图案以覆盖所述第一疏水图案以及所述至少一个电荷传输层的与所述像素限定层重叠的部分,并且所述至少一个电荷传输层不设置在所述第一疏水图案与所述第二疏水图案之间;
在所述至少一个电荷传输层上形成有机发光层;以及
在所述有机发光层和所述第二疏水图案上形成第二电极,
其中所述第二疏水图案覆盖所述电荷传输层的一部分。
12.根据权利要求11所述的方法,其中通过选自胶版印刷过程、凹版胶印过程、凹版反胶印过程、喷墨打印过程、喷嘴印刷过程、T喷射过程、冲压过程、电喷雾过程和激光致热成像过程的过程来形成所述的第一疏水图案,以及通过选自胶版印刷过程、凹版胶印过程、凹版反胶印过程、喷墨打印过程、喷嘴印刷过程、T喷射过程、冲压过程、电喷雾过程和激光致热成像过程的过程来形成所述第二疏水图案。
13.根据权利要求11所述的方法,其中通过选自缝隙涂覆过程、棒涂覆过程和旋转涂覆过程的过程来形成所述至少一个电荷传输层,所述至少一个电荷传输层完全覆盖所述第一电极,所述至少一个电荷传输层部分覆盖所述像素限定层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





