[发明专利]基板、基板的制造方法、半导体装置及电子设备

权利要求书

1.一种基板，其特征在于，具有：底层基板、设置于所述底层基板的第一面上的第一绝缘层、设置于所述第一绝缘层上的第二绝缘层、设置于所述第二绝缘层上的第三绝缘层、以及设置于所述第三绝缘层上的焊盘电极，其中，在所述基板上，

形成有从所述底层基板的所述第一面的相反侧的第二面开始贯通所述底层基板、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层并到达所述焊盘电极的孔，

在所述孔中，具有覆盖所述底层基板、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层的第四绝缘层，

具有与所述焊盘电极连接且被所述第四绝缘层覆盖的导电体，所述第一绝缘层中的所述孔的直径大于所述第二绝缘层中的所述孔的直径，

所述第一绝缘层和所述第二绝缘层由彼此不同的材料形成，且所述第二绝缘层和所述第三绝缘层由彼此不同的材料形成，

所述第二绝缘层由AlO形成，

所述第一绝缘层由SiO₂或者SiN形成。

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，

所述第二绝缘层中的所述孔的直径大于所述第三绝缘层中的所述孔的直径。

3.根据权利要求1或2所述的基板，其特征在于，

所述第二绝缘层中被所述第四绝缘层覆盖的部分越向所述孔的中心，厚度越薄。

4.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，

所述第三绝缘层中被所述第四绝缘层覆盖的部分越向所述孔的中心，厚度越薄。

5.一种半导体装置，其特征在于，具有：

权利要求1所述的基板；

元件电路，形成于所述底层基板的所述第一面侧；以及

再配线层，与所述导电体连接，且形成于所述底层基板的所述第二面侧。

6.一种电子设备，其特征在于，

具有权利要求5所述的半导体装置。

7.一种基板的制造方法，其特征在于，具有：

在底层基板的第一面上形成第一绝缘层的工序；

在所述第一绝缘层上，由与所述第一绝缘层不同的材料形成第二绝缘层的工序；

在所述第二绝缘层上，由与所述第二绝缘层不同的材料形成第三绝缘层的工序；

在所述第三绝缘层上形成焊盘电极的工序；

形成从所述底层基板的所述第一面的相反侧的第二面开始，贯通所述底层基板、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层并到达所述焊盘电极的孔的工序；

在所述孔中，形成覆盖所述底层基板、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层的第四绝缘层的工序；以及

在所述孔的被所述第四绝缘层覆盖的区域形成与所述焊盘电极连接的导电体的工序，

其中，在形成所述孔的工序中，将所述第一绝缘层中的所述孔的直径形成为大于所述第二绝缘层中的所述孔的直径，

所述第二绝缘层由AlO形成，

所述第一绝缘层由SiO₂或者SiN形成。

8.根据权利要求7所述的基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述孔的工序中，将所述第二绝缘层中的所述孔的直径形成为大于所述第三绝缘层中的所述孔的直径。

9.根据权利要求7所述的基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述孔的工序中，通过干蚀刻除去所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层。

10.根据权利要求9所述的基板制造方法，其特征在于，

在形成所述第三绝缘层的工序中，由与所述第二绝缘层干蚀刻速率不同的材料形成所述第三绝缘层。