[发明专利]一种LED陶瓷基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310265845.9 申请日: 2013-06-28
公开(公告)号: CN103342543A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 段明新 申请(专利权)人: 珠海微晶新材料科技有限公司
主分类号: C04B35/10 分类号: C04B35/10;C04B35/622
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 温旭
地址: 519000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种LED陶瓷基板,其特征在于,由以下组分及其重量百分比制成:氧化铝60%~70%、稀土氧化物0.2%~0.5%、有机溶剂10%~30%、表面活性剂0.2%~1.2%、粘接剂3.5%~5.5%、塑化剂2.5%~7.2%和氧化物添加剂2%~5%,所述氧化物添加剂至少是氧化镁、氧化钙、氧化硅、氧化锆中的一种。

2.根据权利要求1所述的LED陶瓷基板,其特征在于,由以下组分及其重量百分比制成:氧化铝70%、稀土氧化物0.2%、有机溶剂21.6%、表面活性剂0.2%、粘接剂3.5%、塑化剂2.5%和氧化物添加剂2% 。

3.根据权利要求2所述的LED陶瓷基板,其特征在于,所述氧化铝是直径为0.5um~3um和纯度为99%以上的氧化铝粉料;所述有机溶剂采用无水乙醇、丁酮、正丁醇三元混合有机溶剂体系;所述稀土氧化物是由粒径2um以下的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3中的一种或一种以上组成的混合物;所述粘结剂为PVB粘结剂;所述塑化剂为DBP塑化剂或PEG塑化剂;所述氧化物添加剂是粒径2um以下的氧化镁、氧化钙、氧化硅、氧化锆中的至少两种的混合物。

4.根据权利要求3所述的LED陶瓷基板,其特征在于,所述无水乙醇、丁酮、正丁醇的重量配比为40:55:5 。

5.根据权利要求1至4中任何一项所述的LED陶瓷基板,其特征在于,所述制成的陶瓷基板的晶体颗粒为粒径1um~3um均匀微细多面体结构,表面粗糙度小于0.25um。

6.根据权利要求5所述的LED陶瓷基板,其特征在于,所述制成的陶瓷基板的密度高为3.78g/cm3以上。

7.一种基于上述权利要求1至6中任何一项所述的高导热高反光陶瓷基板的制备方法,其特征在于,包括有以下步骤:

a.按照重量百分比准确称取出各组分;

b.将称取出的各组分混合均匀并进行球磨;

c.在恒温环境下对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌;

d.将真空脱泡和搅拌后的混合物依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工制得生坯片,并对生坯片进行真空封装、压制和冷却;

e.将真空封装压制和冷却的生坯片进行陈腐、低温排胶、烧结和冷却。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,

所述将称取出的各组分混合均匀并进行球磨,具体为:首先将氧化铝、氧化添加剂和稀土氧化物混合均匀,然后加入表面活性剂与部分有机溶剂混合均匀并球磨,同时将粘结剂、塑化剂与余下有机溶剂混合均匀,最后将混合均匀并经球磨的氧化铝、氧化添加剂、稀土氧化物、表面活性剂和部分有机溶剂与混合后的粘结剂、塑化剂和余下有机溶剂混合一起并进行球磨;

所述在恒温环境下对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌,具体为:在保持温度35℃~45℃和-0.05Mpa~-0.1Mpa下进行真空脱泡、搅拌,使球磨后的混合物的流速达到15000 mps~30000mps;

所述将真空脱泡和搅拌后的混合物依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工制得生坯片,并对生坯片进行真空封装、压制和冷却,具体为:首先将真空脱泡和搅拌后的混合物涂布成型,然后在40℃~120℃下热风干燥得到生坯,接着将生坯放入模具后进行冲切成生坯片,最后在-0.09Mpa~-0.1Mpa下对生坯片进行真空封装后,通过在50℃~95℃和15Mpa~25Mpa下均匀压制并冷却;

所述将真空封装、压制和冷却的生坯片进行陈腐、低温排胶、烧结和冷却,具体为:首先将真空封装、压制和冷却后的生坯片陈腐12小时以上,然后以2℃/min~8℃/min的升温速度进行低温排胶24h~54h,最后在1600℃~1700℃环境下保温2h~3h后,自然降温冷却即可。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,

所述将称取出的各组分混合均匀并进行球磨,具体为:首先采用混料机将氧化铝、氧化添加剂和稀土氧化物混合均匀,然后加入表面活性剂与一半有机溶剂并采用高速分散机以300~600转/分的转速混合均匀后采用球磨机球磨10~36小时,同时采用另一高速分散机以300~600转/分的转速将粘结剂、塑化剂与另一半有机溶剂混合均匀,最后将混合均匀并经球磨的氧化铝、氧化添加剂、稀土氧化物、表面活性剂和部分有机溶剂与混合后的粘结剂、塑化剂和余下有机溶剂混合一起并采用球磨机球磨24~48小时;

所述在恒温环境下对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌,是采用真空脱泡机并以500~800转/分的转速对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌,同时采用防爆全自动热水系统进行恒温控制;

所述将真空脱泡和搅拌后的混合物依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工,并对生坯片进行真空封装、压制和冷却,具体是:首先采用涂布成型机将真空脱泡和搅拌后的混合物进行涂布成型,然后采用加热鼓风干燥箱对涂布成型后的混合物进行热风干燥,得到0.2mm~1.5mm的生坯,接着采用自动冲片机对放入模具后的生坯进行冲切,最后通过真空包装机对生坯片进行真空封装,通过温水等静压机对真空封装后生坯片进行均匀压制并冷却;

所述低温排胶、烧结和冷却是采用包含排胶段、升温段、烧结段和冷却段的推板式电窑来实现。

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