[发明专利]检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法有效
| 申请号： | 201310262927.8 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103346100A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 接触 多晶 栅极 对准 方法 | ||
1.一种检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法，其特征在于包括：
第一步骤：准备检测待检测晶圆，将待检测晶圆流片到阱区离子注入步骤，跳过N阱离子注入步骤，并将P阱离子注入改为无光阻离子注入，使晶圆基底全部成为P离子区；
第二步骤：将待检测晶圆继续流片到有源区离子注入，跳过P有源区离子注入步骤，将N源区离子注入改为无光阻离子注入；
第三步骤：将晶圆流片到接触孔平坦化制程，并在接触孔平坦化制程后应用电子束缺陷扫描仪对待检测晶圆进行漏电缺陷检测。
2.根据权利要求1所述的检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法，其特征在于，在第三步骤中，将电子束缺陷扫描仪拍摄的亮接触孔确定为具有漏电缺陷的接触孔，将电子束缺陷扫描仪拍摄的暗接触孔确定为没有漏电缺陷的接触孔。
3.根据权利要求1或2所述的检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法，其特征在于，在第三步骤中，调整电子束缺陷扫描仪使得着陆电压在600eV-1200eV之间。
4.根据权利要求1或2所述的检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法，其特征在于，在第三步骤中，调整电子束缺陷扫描仪使得电流为7nA-20nA之间。
5.根据权利要求1或2所述的检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法，其特征在于，在第三步骤中，调整电子束缺陷扫描仪使之采用的像素在50nm-80nm之间。
6.根据权利要求1或2所述的检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法，其特征在于还包括：通过将检测到的漏电缺陷进行自动分类，进一步甄选出具有相对位置关系的漏电缺陷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310262927.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：检测预处理能力的方法
- 下一篇：一种β－碳化硅薄膜的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
