[发明专利]超薄型全平面式感测装置及其制造方法

权利要求书

1.一种超薄型全平面式感测装置，其特征在于，所述超薄型全平面式感测装置至少包括：

一封装基板，包括多个第一焊垫；

一中介结构，位于所述封装基板上，包括多个连接垫以及电连接至所述的多个第一焊垫及所述的多个连接垫的多个第二焊垫；

一垂直电连接结构，位于中介结构上，包括电连接至所述的多个连接垫的多个垂直导体；以及

一感测芯片，位于所述垂直电连接结构上，包括一芯片基板，以及形成于所述芯片基板上的：

多个感测元，构成一感测元阵列，并感测一生物体的特征而获得多个感测信号；

多个感测电路元，构成一感测电路元阵列，电连接至所述的多个感测元，并处理所述的多个感测信号而获得多个生物特征信号；以及

多个垂直贯通电极，直接或间接电连接至所述的多个感测电路元及所述的多个垂直导体，以使所述的多个生物特征信号分别通过所述的多个垂直贯通电极、所述的多个垂直导体及所述的多个第二焊垫传输至所述的多个第一焊垫。

2.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，所述感测装置还包括：

多条连接线，分别将所述的多个第一焊垫电连接至所述的多个第二焊垫；以及

一封胶层，覆盖所述的多个第一焊垫、所述的多个第二焊垫及所述的多个连接线，其中所述垂直电连接结构还包括一绝缘填料层，所述的多个垂直导体是埋设于所述绝缘填料层。

3.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，所述感测装置的厚度小于或等于500微米。

4.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，所述垂直导体是由铜、镍、银与锡所形成。

5.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，所述感测芯片还包括一重新分布层，所述的多个垂直贯通电极是通过所述重新分布层电连接至所述的多个垂直导体；且

所述垂直电连接结构还包括多个哑导电结构，其电连接至所述重新分布层，所述哑导电结构没有传输任何信号。

6.一种感测装置的制造方法，其特征在于，所述感测装置的制造方法至少包括以下步骤：

(a)形成多个感测芯片，各所述感测芯片具有一芯片基板以及形成于所述芯片基板中的多个感测元、多个感测电路元以及多个垂直贯通电极，所述的多个感测电路元电连接至所述的多个垂直贯通电极及所述的多个感测元；

(b)形成一重新分布层于所述的多个垂直贯通电极上，并形成多个垂直导体于所述重新分布层上；

(c)形成一中介晶片，其具有多个连接垫及电连接至所述的多个连接垫的多个第二焊垫；

(d)将所述的多个感测芯片置于所述中介晶片上，并使所述的多个垂直导体与所述的多个连接垫对准；

(e)接合所述的多个垂直导体与所述的多个连接垫；

(f)形成一绝缘填料层于所述的多个感测芯片与所述中介晶片之间；

(g)执行切割,以形成多个传感器；

(h)将所述传感器置放于一封装基板上，所述封装基板包括多个第一焊垫；以及

(i)对所述传感器进行打线及封胶程序，以将所述的多个第一焊垫电连接至所述的多个第二焊垫而形成所述感测装置。