[发明专利]一种含POSS减反射膜镀膜液及其制备方法与应用有效
| 申请号: | 201310241641.1 | 申请日: | 2013-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN103305036A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
| 发明(设计)人: | 张方方;黄驰;易生平 | 申请(专利权)人: | 武汉绿凯科技有限公司 |
| 主分类号: | C09D1/00 | 分类号: | C09D1/00;C09D7/12;C09D183/00 |
| 代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 poss 减反射膜 镀膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种含POSS减反射膜镀膜液的制备方法,其特征在于包含如下步骤:往溶剂中加入如下质量百分含量的原料:0.01~20wt%的POSS衍生物、0~10wt%的纳米二氧化硅颗粒、0~10wt%的中空二氧化硅、0~5wt%的非硅纳米氧化物颗粒、0~10wt%有机硅化合物、0~50wt%的去离子水和0~2%催化剂,于20~150℃条件下反应0~45 h得到。
2.根据权利要求1所述的含POSS减反射膜镀膜液的制备方法,其特征在于包含如下步骤:
(1)称取各原料:0.01~20wt%的POSS衍生物、0~10wt%的纳米二氧化硅颗粒、0~10wt%的中空二氧化硅、0~5wt%的非硅纳米氧化物颗粒、0~10wt%有机硅化合物、0~50wt%的去离子水和0~2wt%催化剂,其余为溶剂;
(2)将POSS衍生物、有机硅化合物、水和催化剂加入到溶剂中,将纳米二氧化硅颗粒、中空二氧化硅和非硅纳米氧化物颗粒各自总量0~100wt%加入到溶剂中,于20℃~150℃条件下反应0~45 h;
(3)加入剩余的纳米二氧化硅颗粒、中空二氧化硅和非硅纳米氧化物颗粒加入到反应体系,在20~100℃搅拌0~10 h,即得到含POSS减反射膜镀膜液。
3.根据权利要求1所述的含POSS减反射膜镀膜液的制备方法,其特征在于:所述的溶剂为水、甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、2-丁醇、甲基正丙醇、叔丁醇、四氢呋喃、环己醇、乙二醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚醋酸酯、乙二醇双甲醚、乙二醇双乙醚、乙二醇双甲醚醋酸酯、丙二醇、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇单甲醚醋酸酯、丁二醇单甲醚、丁二醇单乙醚、丁二醇单甲醚醋酸酯、二氧六环、二甲基甲酰胺、乙腈、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷、二氯乙烷、甲苯、苯、二甲苯等中的一种或多种混合物。
4.根据权利要求1所述的含POSS减反射膜镀膜液的制备方法,其特征在于:所述的POSS衍生物的通用分子式为SixOyR1nR2x-m-nR3m,其中:x为8、10或12,y=1.5x,m和n=0~x,m+n≤x,x、y、n、m均为整数;R1为乙烯基、烯丙基、丙烯酰氧丙基、甲基丙烯酰氧丙基、丙烯酰氧甲基、甲基丙烯酰氧甲基、丙烯酰氧乙基、甲基丙烯酰氧乙基、3-烯丁基、2-烯丁基、1-烯丁基、甲基烯丙基中的一种;R2为含1~18个碳的饱和烷基、环戊基、甲基环戊基、乙基环戊基、环己基、甲基环己基、乙基环己基、苯基、乙酰氧丙基、乙酰氧乙基、乙酰氧甲基、氨甲基、β-氨乙基、γ-氨丙基、卤烃基、巯烷基、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基、γ-2,3-环氧丙氧丙基、β-羟乙基、γ-羟丙基、4-羟丁基、5-羟戊基、N-苯基-氨甲基、N-苯基-β-氨乙基、N-苯基-γ-氨丙基、(N-全氟辛基磺酰基)-氨丙基、含氟烷基、异氰酸烃基、氰烃基中的一种;R3 为R1与含氢硅烷单体的加成产物,其中含氢硅烷单体为HSiX3、HSiX3、HSiMeX2、HSiMeX2、HSiMeX2、HSiEtX2、HSiEtX2、HSiEtX2、HSiPhX2、HSiPhX2、HSiPhX2、HSiMe2X、HSiEt2X、HSiPh2X、HSiMe2X、HSiEt2X、HSiPh2X、HSiMeEtX、HSiMeEtX、HSiMePhX、HSiMePhX、HSiEtPhX、HSiEtPhX中的一种,X为Cl、Br、OR’,R’为C1-C18烷基。
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